Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту
На основі вимірювань поздовжнього п'єзоопору для випадку, коли X ║ J ║ [100], і теорії анізотропного розсіяння визначено константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd в γ-опроміненому n-Si. Показано, що при визначенні параметра анізотропії часів релаксації для n-Si з глибоким енергетичним рівнем...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021246 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| Резюме: | На основі вимірювань поздовжнього п'єзоопору для випадку, коли X ║ J ║ [100], і теорії анізотропного розсіяння визначено константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd в γ-опроміненому n-Si. Показано, що при визначенні параметра анізотропії часів релаксації для n-Si з глибоким енергетичним рівнем Ec – 0,17 eB необхідно враховувати залежність концентрації іонізованих глибоких центрів від деформації. |
|---|