Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту
На основі вимірювань поздовжнього п'єзоопору для випадку, коли X ║ J ║ [100], і теорії анізотропного розсіяння визначено константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd в γ-опроміненому n-Si. Показано, що при визначенні параметра анізотропії часів релаксації для n-Si з глибоким енергетичним рівнем...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021246 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2021246 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20212462022-01-17T14:54:27Z Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту Deformation Potential Constants Ξu and Ξd in n-Si Determined with the Use of the Tensoresistance Effect Luniov, S.V. Panasiuk, L.I. Fedosov, S.A. - - На основі вимірювань поздовжнього п'єзоопору для випадку, коли X ║ J ║ [100], і теорії анізотропного розсіяння визначено константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd в γ-опроміненому n-Si. Показано, що при визначенні параметра анізотропії часів релаксації для n-Si з глибоким енергетичним рівнем Ec – 0,17 eB необхідно враховувати залежність концентрації іонізованих глибоких центрів від деформації. On the basis of longitudinal piezoresistance measurements in the geometry X ║ J ║ [100] and the theory of anisotropic scattering, the deformation potential constants Ξu and Ξd for γ-irradiated n-Si have been determined. It has been shown that, while determining the anisotropy of relaxation times for n-Si with the deep energy level Ec – 0.17 eV, the dependence of the concentration of deep ionized centers on the deformation must be taken into consideration. Publishing house "Academperiodika" 2012-06-30 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021246 10.15407/ujpe57.6.636 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 6 (2012); 636 Український фізичний журнал; Том 57 № 6 (2012); 636 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.6 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021246/1954 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021246/1955 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Luniov, S.V. Panasiuk, L.I. Fedosov, S.A. Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Luniov, S.V. Panasiuk, L.I. Fedosov, S.A. |
| author_facet |
Luniov, S.V. Panasiuk, L.I. Fedosov, S.A. |
| author_sort |
Luniov, S.V. |
| title |
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title_short |
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title_full |
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title_fullStr |
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title_full_unstemmed |
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title_sort |
константи деформаційного потенціалу ξu та ξd у n-si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title_alt |
Deformation Potential Constants Ξu and Ξd in n-Si Determined with the Use of the Tensoresistance Effect |
| description |
На основі вимірювань поздовжнього п'єзоопору для випадку, коли X ║ J ║ [100], і теорії анізотропного розсіяння визначено константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd в γ-опроміненому n-Si. Показано, що при визначенні параметра анізотропії часів релаксації для n-Si з глибоким енергетичним рівнем Ec – 0,17 eB необхідно враховувати залежність концентрації іонізованих глибоких центрів від деформації. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021246 |
| work_keys_str_mv |
AT luniovsv konstantideformacíjnogopotencíaluxutaxdunsiviznačenímetodomtenzorezistivnogoefektu AT panasiukli konstantideformacíjnogopotencíaluxutaxdunsiviznačenímetodomtenzorezistivnogoefektu AT fedosovsa konstantideformacíjnogopotencíaluxutaxdunsiviznačenímetodomtenzorezistivnogoefektu AT luniovsv deformationpotentialconstantsxuandxdinnsideterminedwiththeuseofthetensoresistanceeffect AT panasiukli deformationpotentialconstantsxuandxdinnsideterminedwiththeuseofthetensoresistanceeffect AT fedosovsa deformationpotentialconstantsxuandxdinnsideterminedwiththeuseofthetensoresistanceeffect |
| first_indexed |
2023-03-24T08:59:36Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:59:36Z |
| _version_ |
1795757729668661248 |