Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту
На основі вимірювань поздовжнього п'єзоопору для випадку, коли X ║ J ║ [100], і теорії анізотропного розсіяння визначено константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd в γ-опроміненому n-Si. Показано, що при визначенні параметра анізотропії часів релаксації для n-Si з глибоким енергетичним рівнем...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021246 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131406710865920 |
|---|---|
| author | Luniov, S.V. Panasiuk, L.I. Fedosov, S.A. |
| author_facet | Luniov, S.V. Panasiuk, L.I. Fedosov, S.A. |
| author_sort | Luniov, S.V. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-01-17T14:54:28Z |
| description | На основі вимірювань поздовжнього п'єзоопору для випадку, коли X ║ J ║ [100], і теорії анізотропного розсіяння визначено константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd в γ-опроміненому n-Si. Показано, що при визначенні параметра анізотропії часів релаксації для n-Si з глибоким енергетичним рівнем Ec – 0,17 eB необхідно враховувати залежність концентрації іонізованих глибоких центрів від деформації. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe57.6.636 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:17:45Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2021246 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:17:45Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20212462022-01-17T14:54:28Z Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту Deformation Potential Constants Ξu and Ξd in n-Si Determined with the Use of the Tensoresistance Effect Luniov, S.V. Panasiuk, L.I. Fedosov, S.A. - - На основі вимірювань поздовжнього п'єзоопору для випадку, коли X ║ J ║ [100], і теорії анізотропного розсіяння визначено константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd в γ-опроміненому n-Si. Показано, що при визначенні параметра анізотропії часів релаксації для n-Si з глибоким енергетичним рівнем Ec – 0,17 eB необхідно враховувати залежність концентрації іонізованих глибоких центрів від деформації. On the basis of longitudinal piezoresistance measurements in the geometry X ║ J ║ [100] and the theory of anisotropic scattering, the deformation potential constants Ξu and Ξd for γ-irradiated n-Si have been determined. It has been shown that, while determining the anisotropy of relaxation times for n-Si with the deep energy level Ec – 0.17 eV, the dependence of the concentration of deep ionized centers on the deformation must be taken into consideration. Publishing house "Academperiodika" 2012-06-30 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021246 10.15407/ujpe57.6.636 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 6 (2012); 636 Український фізичний журнал; Том 57 № 6 (2012); 636 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.6 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021246/1954 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021246/1955 |
| spellingShingle | - Luniov, S.V. Panasiuk, L.I. Fedosov, S.A. Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title | Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title_alt | Deformation Potential Constants Ξu and Ξd in n-Si Determined with the Use of the Tensoresistance Effect |
| title_full | Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title_fullStr | Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title_full_unstemmed | Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title_short | Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| title_sort | константи деформаційного потенціалу ξu та ξd у n-si, визначені методом тензорезистивного ефекту |
| topic | - |
| topic_facet | - - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021246 |
| work_keys_str_mv | AT luniovsv konstantideformacíjnogopotencíaluxutaxdunsiviznačenímetodomtenzorezistivnogoefektu AT panasiukli konstantideformacíjnogopotencíaluxutaxdunsiviznačenímetodomtenzorezistivnogoefektu AT fedosovsa konstantideformacíjnogopotencíaluxutaxdunsiviznačenímetodomtenzorezistivnogoefektu AT luniovsv deformationpotentialconstantsxuandxdinnsideterminedwiththeuseofthetensoresistanceeffect AT panasiukli deformationpotentialconstantsxuandxdinnsideterminedwiththeuseofthetensoresistanceeffect AT fedosovsa deformationpotentialconstantsxuandxdinnsideterminedwiththeuseofthetensoresistanceeffect |