Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами
Specimens of p-Si irradiated with 8-MeV electrons have been studied. Various radiation-induced defects have been identified by analyzing the temperature dependences of the hole concentration and the curves of isochronous annealing of irradiated specimens. By analyzing the dependences of the lifetime...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021264 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131411067699200 |
|---|---|
| author | Pagava, T.A. Khocholava, D.Z. Maisuradze, N.I. Chkhartishvili, L.S. |
| author_facet | Pagava, T.A. Khocholava, D.Z. Maisuradze, N.I. Chkhartishvili, L.S. |
| author_sort | Pagava, T.A. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-01-25T16:54:54Z |
| description | Specimens of p-Si irradiated with 8-MeV electrons have been studied. Various radiation-induced defects have been identified by analyzing the temperature dependences of the hole concentration and the curves of isochronous annealing of irradiated specimens. By analyzing the dependences of the lifetime of minority charge carriers τ, the specific resistance ρ, the hole concentration p, and the Hall mobility μH on the isochronous annealing temperature Tann, theannealing-induced features in the behavior of p and μH are revealed. We determined which radiation-induced defects are recombination centers. From the curves of isochronous annealing carried out during various time intervals, the activation energies of annealing, Eann, are determined for a number of radiation-induced defects. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe57.5.525 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:17:48Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2021264 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:17:48Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20212642022-01-25T16:54:54Z Study of Recombination and Electric Properties of p-Si Crystals Irradiated with Electrons Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами Pagava, T.A. Khocholava, D.Z. Maisuradze, N.I. Chkhartishvili, L.S. - - Specimens of p-Si irradiated with 8-MeV electrons have been studied. Various radiation-induced defects have been identified by analyzing the temperature dependences of the hole concentration and the curves of isochronous annealing of irradiated specimens. By analyzing the dependences of the lifetime of minority charge carriers τ, the specific resistance ρ, the hole concentration p, and the Hall mobility μH on the isochronous annealing temperature Tann, theannealing-induced features in the behavior of p and μH are revealed. We determined which radiation-induced defects are recombination centers. From the curves of isochronous annealing carried out during various time intervals, the activation energies of annealing, Eann, are determined for a number of radiation-induced defects. Досліджено зразки p-Si, опромінені електронами з енергією 8 МеВ. За температурними залежностями параметрів під час ізохронного відпалу опромінених зразків проведено ідентифікацію різних радіаційних дефектів. На основі аналізу залежностей часу життя неосновних носіїв току τ, питомого опору ρ, концентрації p і холлівської рухомості μH від температури ізохронного відпалу Tотж виявлено особливості відпалу μH і ρ.  Визначено, які радіаційні дефекти є рекомбінаційними центрами. За кривими ізохронного відпалу, проведених при різних інтервалах часу, визначено енергії активації відпалу Eотж деяких радіаційних дефектів. Publishing house "Academperiodika" 2012-05-30 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021264 10.15407/ujpe57.5.525 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 5 (2012); 525 Український фізичний журнал; Том 57 № 5 (2012); 525 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.5 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021264/1990 |
| spellingShingle | - Pagava, T.A. Khocholava, D.Z. Maisuradze, N.I. Chkhartishvili, L.S. Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами |
| title | Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами |
| title_alt | Study of Recombination and Electric Properties of p-Si Crystals Irradiated with Electrons |
| title_full | Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами |
| title_fullStr | Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами |
| title_full_unstemmed | Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами |
| title_short | Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами |
| title_sort | дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-si, опромінених електронами |
| topic | - |
| topic_facet | - - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021264 |
| work_keys_str_mv | AT pagavata studyofrecombinationandelectricpropertiesofpsicrystalsirradiatedwithelectrons AT khocholavadz studyofrecombinationandelectricpropertiesofpsicrystalsirradiatedwithelectrons AT maisuradzeni studyofrecombinationandelectricpropertiesofpsicrystalsirradiatedwithelectrons AT chkhartishvilils studyofrecombinationandelectricpropertiesofpsicrystalsirradiatedwithelectrons AT pagavata doslídžennârekombínacíjnihíelektričnihvlastivostejkristalívpsiopromínenihelektronami AT khocholavadz doslídžennârekombínacíjnihíelektričnihvlastivostejkristalívpsiopromínenihelektronami AT maisuradzeni doslídžennârekombínacíjnihíelektričnihvlastivostejkristalívpsiopromínenihelektronami AT chkhartishvilils doslídžennârekombínacíjnihíelektričnihvlastivostejkristalívpsiopromínenihelektronami |