Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами
Specimens of p-Si irradiated with 8-MeV electrons have been studied. Various radiation-induced defects have been identified by analyzing the temperature dependences of the hole concentration and the curves of isochronous annealing of irradiated specimens. By analyzing the dependences of the lifetime...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021264 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |