Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній
Досліджено інжекційні механізми перенос носіїв заряду в гетероструктурах Tі–TіО2–(n, p)Sі. Розглянуто вплив структури пористого шару TіО2 і типу кремнієвої підкладки на електричні характеристики структур. Перенос носіїв заряду відбувається за умов існування компенсуючого поляризаційного заряду на по...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021271 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| Резюме: | Досліджено інжекційні механізми перенос носіїв заряду в гетероструктурах Tі–TіО2–(n, p)Sі. Розглянуто вплив структури пористого шару TіО2 і типу кремнієвої підкладки на електричні характеристики структур. Перенос носіїв заряду відбувається за умов існування компенсуючого поляризаційного заряду на поверхні TіО2 наночастинок. Встановлено кореляції між типом адсорбованих молекул і умовами проходження струму. У структурах Ті–ТіО2–p-Sі зміна співвідношення інжектованих електронів та дірок може приводити до ефекту негативної провідності. |
|---|