Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній
Досліджено інжекційні механізми перенос носіїв заряду в гетероструктурах Tі–TіО2–(n, p)Sі. Розглянуто вплив структури пористого шару TіО2 і типу кремнієвої підкладки на електричні характеристики структур. Перенос носіїв заряду відбувається за умов існування компенсуючого поляризаційного заряду на по...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021271 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2021271 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20212712022-01-20T13:19:51Z Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній Peculiarities of Current Transport in Titanium Oxide-Silicon Heterostructures Milovanov, Yu.S. Gavrilchenko, I.V. Gayvoronsky, V.Ya. Kuznetsov, G.V. Skryshevsky, V.A. - - Досліджено інжекційні механізми перенос носіїв заряду в гетероструктурах Tі–TіО2–(n, p)Sі. Розглянуто вплив структури пористого шару TіО2 і типу кремнієвої підкладки на електричні характеристики структур. Перенос носіїв заряду відбувається за умов існування компенсуючого поляризаційного заряду на поверхні TіО2 наночастинок. Встановлено кореляції між типом адсорбованих молекул і умовами проходження струму. У структурах Ті–ТіО2–p-Sі зміна співвідношення інжектованих електронів та дірок може приводити до ефекту негативної провідності. The mechanisms of charge carrier injection into Tі–TіО2–(n, p)Sі heterostructures have been studied. The influence of the porous TiO2 structure and the silicon substrate type on the electrical characteristics of heterostructures is analyzed. The charge transfer is shown to be accompanied by the appearance of a compensating polarization charge on the surface of TiO2 nanoparticles. Correlations between the type of adsorbed molecules and the conditions of the current flow have been determined. In Ті–ТіО2–p-Sі heterostructures, a change of the ratio between the numbers of injected electrons and holes can lead to the negative-conductivity effect. Publishing house "Academperiodika" 2012-05-30 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021271 10.15407/ujpe57.5.545 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 5 (2012); 545 Український фізичний журнал; Том 57 № 5 (2012); 545 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.5 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021271/1994 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021271/1995 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Milovanov, Yu.S. Gavrilchenko, I.V. Gayvoronsky, V.Ya. Kuznetsov, G.V. Skryshevsky, V.A. Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Milovanov, Yu.S. Gavrilchenko, I.V. Gayvoronsky, V.Ya. Kuznetsov, G.V. Skryshevsky, V.A. |
| author_facet |
Milovanov, Yu.S. Gavrilchenko, I.V. Gayvoronsky, V.Ya. Kuznetsov, G.V. Skryshevsky, V.A. |
| author_sort |
Milovanov, Yu.S. |
| title |
Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній |
| title_short |
Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній |
| title_full |
Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній |
| title_fullStr |
Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній |
| title_full_unstemmed |
Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній |
| title_sort |
особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній |
| title_alt |
Peculiarities of Current Transport in Titanium Oxide-Silicon Heterostructures |
| description |
Досліджено інжекційні механізми перенос носіїв заряду в гетероструктурах Tі–TіО2–(n, p)Sі. Розглянуто вплив структури пористого шару TіО2 і типу кремнієвої підкладки на електричні характеристики структур. Перенос носіїв заряду відбувається за умов існування компенсуючого поляризаційного заряду на поверхні TіО2 наночастинок. Встановлено кореляції між типом адсорбованих молекул і умовами проходження струму. У структурах Ті–ТіО2–p-Sі зміна співвідношення інжектованих електронів та дірок може приводити до ефекту негативної провідності. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021271 |
| work_keys_str_mv |
AT milovanovyus osoblivostíprotíkannâstrumuvgeterostrukturahoksidtitanukremníj AT gavrilchenkoiv osoblivostíprotíkannâstrumuvgeterostrukturahoksidtitanukremníj AT gayvoronskyvya osoblivostíprotíkannâstrumuvgeterostrukturahoksidtitanukremníj AT kuznetsovgv osoblivostíprotíkannâstrumuvgeterostrukturahoksidtitanukremníj AT skryshevskyva osoblivostíprotíkannâstrumuvgeterostrukturahoksidtitanukremníj AT milovanovyus peculiaritiesofcurrenttransportintitaniumoxidesiliconheterostructures AT gavrilchenkoiv peculiaritiesofcurrenttransportintitaniumoxidesiliconheterostructures AT gayvoronskyvya peculiaritiesofcurrenttransportintitaniumoxidesiliconheterostructures AT kuznetsovgv peculiaritiesofcurrenttransportintitaniumoxidesiliconheterostructures AT skryshevskyva peculiaritiesofcurrenttransportintitaniumoxidesiliconheterostructures |
| first_indexed |
2023-03-24T08:59:40Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:59:40Z |
| _version_ |
1795757731491086336 |