Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
За допомогою розрахунків із перших принципів якісно розглянуто адсорбцію молекули O2 на поверхню Si1–xGex/Si(001) та визначено стабільні адсорбційні конфігурації молекулярного кисню. O2 недисоціативно хемадсорбуються на поверхню Si1–xGex/Si(001). У випадку, коли поверхняSi1–xGex/Si(001) представлена...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021310 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| Резюме: | За допомогою розрахунків із перших принципів якісно розглянуто адсорбцію молекули O2 на поверхню Si1–xGex/Si(001) та визначено стабільні адсорбційні конфігурації молекулярного кисню. O2 недисоціативно хемадсорбуються на поверхню Si1–xGex/Si(001). У випадку, коли поверхняSi1–xGex/Si(001) представлена чистими Si–Si та змішаними Si–Ge аддимерами, адсорбція молекул O2 проходить без подолання бар'єра. У випадку, коли поверхня представлена чистими Ge–Ge аддимерами, бар'єр для адсорбції не перевищує 0,1 еВ. Адсорбція молекули O2 супроводжується зміною спінового стану системи з триплетного на синглетний та зменшенням хімічної активності поверхні. |
|---|