Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
За допомогою розрахунків із перших принципів якісно розглянуто адсорбцію молекули O2 на поверхню Si1–xGex/Si(001) та визначено стабільні адсорбційні конфігурації молекулярного кисню. O2 недисоціативно хемадсорбуються на поверхню Si1–xGex/Si(001). У випадку, коли поверхняSi1–xGex/Si(001) представлена...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021310 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2021310 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20213102022-01-29T12:18:59Z Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001) Adsorption of Molecular Oxygen onto Si1–xGex/Si(001) Surface Greenchuk, A.A. Afanasieva, T.V. Koval, I.P. Nakhodkin, M.G. - - За допомогою розрахунків із перших принципів якісно розглянуто адсорбцію молекули O2 на поверхню Si1–xGex/Si(001) та визначено стабільні адсорбційні конфігурації молекулярного кисню. O2 недисоціативно хемадсорбуються на поверхню Si1–xGex/Si(001). У випадку, коли поверхняSi1–xGex/Si(001) представлена чистими Si–Si та змішаними Si–Ge аддимерами, адсорбція молекул O2 проходить без подолання бар'єра. У випадку, коли поверхня представлена чистими Ge–Ge аддимерами, бар'єр для адсорбції не перевищує 0,1 еВ. Адсорбція молекули O2 супроводжується зміною спінового стану системи з триплетного на синглетний та зменшенням хімічної активності поверхні. On the basis of \textit{ab initio} calculations, the adsorption of O2 molecules onto a Si1–xGex/Si(001) surface has been considered at a qualitative level, and stable adsorption configurations of molecular oxygen have been determined. The O2 molecule was found to be chemisorbed without dissociation onto theSi1–xGex/Si(001) surface. In the case where the Si1–xGex/Si(001) surface is presented by pure Si–Si or mixed Si–Ge addimers, the adsorption of O2 molecules was found to be barrierless. In the case where the surface is presented by pure Ge–Ge addimers, the chemisorption barrier was found to be lower than 0.1 eV. The adsorption of O2 molecule on the Si1–xGex/Si(001) surface is accompanied by a change of the spin state of the system from the triplet to the singlet one and by a reduction of the surface chemical reactivity. Publishing house "Academperiodika" 2012-03-30 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021310 10.15407/ujpe57.3.355 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 3 (2012); 355 Український фізичний журнал; Том 57 № 3 (2012); 355 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.3 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021310/2045 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021310/2046 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Greenchuk, A.A. Afanasieva, T.V. Koval, I.P. Nakhodkin, M.G. Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001) |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Greenchuk, A.A. Afanasieva, T.V. Koval, I.P. Nakhodkin, M.G. |
| author_facet |
Greenchuk, A.A. Afanasieva, T.V. Koval, I.P. Nakhodkin, M.G. |
| author_sort |
Greenchuk, A.A. |
| title |
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001) |
| title_short |
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001) |
| title_full |
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001) |
| title_fullStr |
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001) |
| title_full_unstemmed |
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001) |
| title_sort |
адсорбція молекулярного кисню на по-верхню si1–xgex/si(001) |
| title_alt |
Adsorption of Molecular Oxygen onto Si1–xGex/Si(001) Surface |
| description |
За допомогою розрахунків із перших принципів якісно розглянуто адсорбцію молекули O2 на поверхню Si1–xGex/Si(001) та визначено стабільні адсорбційні конфігурації молекулярного кисню. O2 недисоціативно хемадсорбуються на поверхню Si1–xGex/Si(001). У випадку, коли поверхняSi1–xGex/Si(001) представлена чистими Si–Si та змішаними Si–Ge аддимерами, адсорбція молекул O2 проходить без подолання бар'єра. У випадку, коли поверхня представлена чистими Ge–Ge аддимерами, бар'єр для адсорбції не перевищує 0,1 еВ. Адсорбція молекули O2 супроводжується зміною спінового стану системи з триплетного на синглетний та зменшенням хімічної активності поверхні. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021310 |
| work_keys_str_mv |
AT greenchukaa adsorbcíâmolekulârnogokisnûnapoverhnûsi1xgexsi001 AT afanasievatv adsorbcíâmolekulârnogokisnûnapoverhnûsi1xgexsi001 AT kovalip adsorbcíâmolekulârnogokisnûnapoverhnûsi1xgexsi001 AT nakhodkinmg adsorbcíâmolekulârnogokisnûnapoverhnûsi1xgexsi001 AT greenchukaa adsorptionofmolecularoxygenontosi1xgexsi001surface AT afanasievatv adsorptionofmolecularoxygenontosi1xgexsi001surface AT kovalip adsorptionofmolecularoxygenontosi1xgexsi001surface AT nakhodkinmg adsorptionofmolecularoxygenontosi1xgexsi001surface |
| first_indexed |
2023-03-24T08:59:47Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:59:47Z |
| _version_ |
1795757734371524608 |