Оптична поляризаційна анізотропія, внутрішній ефект Штарка квантового конфайнменту і вплив кулонівських ефектів на лазерні характеристики [0001]-орієнтованих GaN/Al0,3Ga0,7N квантових ям
У цій статті представлено теоретичне дослідження просторово розділених електронних і діркових розподілів, яке відображається у самоузгодженому розв'язанні рівнянь Шредінгера для електронів та дірок і рівняння Пуассона. Результати проілюстровано дляGaN/Al0,3Ga0,7N квантової ями. Спектр оптичного...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | Lokot, L.O. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021358 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2012) -
Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2012) -
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012) -
Srystal structure of the YNi0.83Ga1.17 and YNiIn0.15Ga0.85 compounds
за авторством: M. Horiacha, та інші
Опубліковано: (2020) -
Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2011)