Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії
У даній роботі розглянуто особливості гетерування рекомбінаційно-активних домішок у полікристалічному кремнії методом, що включає послідовне формування шару пористого кремнію товщиною 0,5–2 мкм на зворотному боці кремнієвої пластини, осадження шару алюмінію товщиною 0,5–1 мкм та термічний відпал при...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021367 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2021367 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20213672022-02-02T10:34:18Z Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії Two-Channel Gettering of Recombination-Active Impurity in Polycrystalline Solar Silicon Litovchenko, V.G. Naseka, V.M. Evtukh, A.A. - - У даній роботі розглянуто особливості гетерування рекомбінаційно-активних домішок у полікристалічному кремнії методом, що включає послідовне формування шару пористого кремнію товщиною 0,5–2 мкм на зворотному боці кремнієвої пластини, осадження шару алюмінію товщиною 0,5–1 мкм та термічний відпал при 700–950 ºС протягом від 30 до 60 хв. Запропоновано модель гетерування даним методом, яка включає дифузію атомів заліза по двох найбільш ймовірних незалежних каналах – в об'ємі пластини та по границях зерен. Із зіставлення результатів моделі з експериментальними даними встановлено, що 30% атомів відгетерованої домішки дифундують прискорено по границях зерен, a 70% – в об'ємі зерен. The features of the recombination-active impurity gettering in polycrystalline silicon have been studied. The research method included the formation of a porous silicon layer 0.5–2 μm in thickness on the backside of a silicon wafer, the deposition of aluminum layer 0.5–1 μm in thickness, and the thermal annealing at 700–950 ºC during 30–60 min. The corresponding gettering model has been proposed, which includes the diffusion of iron atoms by means of two most probable independent channels: in the wafer bulk and along the grain boundaries. By comparing the theoretical results and experimental data, we established that 30% of gettered impurity atoms diffuse with a high rate along the grain boundaries, and 70% of them in the grain bulk. Publishing house "Academperiodika" 2012-01-30 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021367 10.15407/ujpe57.1.73 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 1 (2012); 73 Український фізичний журнал; Том 57 № 1 (2012); 73 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.1 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021367/2102 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021367/2103 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Litovchenko, V.G. Naseka, V.M. Evtukh, A.A. Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Litovchenko, V.G. Naseka, V.M. Evtukh, A.A. |
| author_facet |
Litovchenko, V.G. Naseka, V.M. Evtukh, A.A. |
| author_sort |
Litovchenko, V.G. |
| title |
Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії |
| title_short |
Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії |
| title_full |
Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії |
| title_fullStr |
Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії |
| title_full_unstemmed |
Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії |
| title_sort |
двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії |
| title_alt |
Two-Channel Gettering of Recombination-Active Impurity in Polycrystalline Solar Silicon |
| description |
У даній роботі розглянуто особливості гетерування рекомбінаційно-активних домішок у полікристалічному кремнії методом, що включає послідовне формування шару пористого кремнію товщиною 0,5–2 мкм на зворотному боці кремнієвої пластини, осадження шару алюмінію товщиною 0,5–1 мкм та термічний відпал при 700–950 ºС протягом від 30 до 60 хв. Запропоновано модель гетерування даним методом, яка включає дифузію атомів заліза по двох найбільш ймовірних незалежних каналах – в об'ємі пластини та по границях зерен. Із зіставлення результатів моделі з експериментальними даними встановлено, що 30% атомів відгетерованої домішки дифундують прискорено по границях зерен, a 70% – в об'ємі зерен. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021367 |
| work_keys_str_mv |
AT litovchenkovg dvokanalʹnegeteruvannârekombínacíjnoaktivnoídomíškivsonâčnomupolíkristalíčnomukremníí AT nasekavm dvokanalʹnegeteruvannârekombínacíjnoaktivnoídomíškivsonâčnomupolíkristalíčnomukremníí AT evtukhaa dvokanalʹnegeteruvannârekombínacíjnoaktivnoídomíškivsonâčnomupolíkristalíčnomukremníí AT litovchenkovg twochannelgetteringofrecombinationactiveimpurityinpolycrystallinesolarsilicon AT nasekavm twochannelgetteringofrecombinationactiveimpurityinpolycrystallinesolarsilicon AT evtukhaa twochannelgetteringofrecombinationactiveimpurityinpolycrystallinesolarsilicon |
| first_indexed |
2023-03-24T08:59:58Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:59:58Z |
| _version_ |
1795757739384766464 |