Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії
У даній роботі розглянуто особливості гетерування рекомбінаційно-активних домішок у полікристалічному кремнії методом, що включає послідовне формування шару пористого кремнію товщиною 0,5–2 мкм на зворотному боці кремнієвої пластини, осадження шару алюмінію товщиною 0,5–1 мкм та термічний відпал при...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | Litovchenko, V.G., Naseka, V.M., Evtukh, A.A. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021367 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2010) -
Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії
за авторством: Плющай, І.В., та інші
Опубліковано: (2014) -
Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
за авторством: Vikulin, I. M., та інші
Опубліковано: (2018) -
Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії
за авторством: Onyshchenko, V.F.
Опубліковано: (2023) -
Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування
за авторством: Litvinenko, V., та інші
Опубліковано: (2019)