Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії
Розраховано питому фотопровiднiсть та концентрацiю надлишкових неосновних носiїв заряду в двосторонньому макропористому кремнiї в залежностi вiд глибини пор та часу життя неосновних носiїв заряду в об’ємi зразка. Для розрахунку фотопровiдностi та концентрацiї надлишкових неосновних носiїв заряду вик...
Збережено в:
| Видавець: | Publishing house "Academperiodika" |
|---|---|
| Дата: | 2023 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2023
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021433 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2021433 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20214332023-02-14T12:22:07Z Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії Photoconductivity in Bilateral Macroporous Silicon Onyshchenko, V.F. bilateral macroporous silicon photoconductivity porous excess charge carriers двостороннiй макропористий кремнiй фотопровiднiсть пористий нерiвноважнi носiї заряду Розраховано питому фотопровiднiсть та концентрацiю надлишкових неосновних носiїв заряду в двосторонньому макропористому кремнiї в залежностi вiд глибини пор та часу життя неосновних носiїв заряду в об’ємi зразка. Для розрахунку фотопровiдностi та концентрацiї надлишкових неосновних носiїв заряду використовувалась дифузiйна модель. Математичний опис дифузiйної моделi мiстить загальний розв’язок рiвняння дифузiї та граничну умову, записану на межах монокристалiчної пiдкладинки та зразка двостороннього макропористого кремнiю. Враховувалось, що свiтло потрапляло на монокристалiчну пiдкладинку через дно пор. Питома фотопровiднiсть у двосторонньому макропористому кремнiї в залежностi вiд глибини пор та часу життя неосновних носiїв заряду зменшується, якщо глибина пор зростає, а час життя зменшується. Концентрацiя надлишкових неосновних носiїв заряду в залежностi вiд координати та часу життя неосновних носiїв заряду в двосторонньому макропористому кремнiї має один максимум при однорiднiй генерацiї надлишкових носiїв заряду або два максимуми – при їх неоднорiднiй генерацiї. The specific photoconductivity and the excess minority carrier concentration in bilateral macroporous silicon depending on the pore depth and the bulk lifetime of minority charge carriers are calculated. The diffuse model is used to calculate the photoconductivity and the excess minority carrier concentration. The mathematical description of the diffusion model contains a general solution to the diffusion equation and a boundary condition written at the boundaries of a monocrystalline substrate and a sample of bilateral macroporous silicon. It is taken into account that light illuminates the monocrystalline substrate through the bottom of the pores. The dependence of the specific photoconductivity of bilateral macroporous silicon on the pore depth and the bulk lifetime of minority charge carriers decrease, if the pore depth increases, and if the bulk lifetime decreases. The dependence of the excess minority carrier concentration on the coordinate and bulk lifetime of minority charge carriers in bilateral macroporous silicon has one maximum in the case of uniform generation of excess charge carriers or two maxima in the case of inhomogeneous generation of excess charge carriers. Publishing house "Academperiodika" 2023-02-14 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021433 10.15407/ujpe67.12.841 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 67 No. 12 (2022); 841 Український фізичний журнал; Том 67 № 12 (2022); 841 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe67.12 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021433/2928 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021433/2929 Copyright (c) 2023 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
bilateral macroporous silicon photoconductivity porous excess charge carriers двостороннiй макропористий кремнiй фотопровiднiсть пористий нерiвноважнi носiї заряду |
| spellingShingle |
bilateral macroporous silicon photoconductivity porous excess charge carriers двостороннiй макропористий кремнiй фотопровiднiсть пористий нерiвноважнi носiї заряду Onyshchenko, V.F. Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії |
| topic_facet |
bilateral macroporous silicon photoconductivity porous excess charge carriers двостороннiй макропористий кремнiй фотопровiднiсть пористий нерiвноважнi носiї заряду |
| format |
Article |
| author |
Onyshchenko, V.F. |
| author_facet |
Onyshchenko, V.F. |
| author_sort |
Onyshchenko, V.F. |
| title |
Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії |
| title_short |
Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії |
| title_full |
Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії |
| title_fullStr |
Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії |
| title_full_unstemmed |
Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії |
| title_sort |
фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії |
| title_alt |
Photoconductivity in Bilateral Macroporous Silicon |
| description |
Розраховано питому фотопровiднiсть та концентрацiю надлишкових неосновних носiїв заряду в двосторонньому макропористому кремнiї в залежностi вiд глибини пор та часу життя неосновних носiїв заряду в об’ємi зразка. Для розрахунку фотопровiдностi та концентрацiї надлишкових неосновних носiїв заряду використовувалась дифузiйна модель. Математичний опис дифузiйної моделi мiстить загальний розв’язок рiвняння дифузiї та граничну умову, записану на межах монокристалiчної пiдкладинки та зразка двостороннього макропористого кремнiю. Враховувалось, що свiтло потрапляло на монокристалiчну пiдкладинку через дно пор. Питома фотопровiднiсть у двосторонньому макропористому кремнiї в залежностi вiд глибини пор та часу життя неосновних носiїв заряду зменшується, якщо глибина пор зростає, а час життя зменшується. Концентрацiя надлишкових неосновних носiїв заряду в залежностi вiд координати та часу життя неосновних носiїв заряду в двосторонньому макропористому кремнiї має один максимум при однорiднiй генерацiї надлишкових носiїв заряду або два максимуми – при їх неоднорiднiй генерацiї. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2023 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021433 |
| work_keys_str_mv |
AT onyshchenkovf fotoprovídnístʹudvostoronnʹomumakroporistomukremníí AT onyshchenkovf photoconductivityinbilateralmacroporoussilicon |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:05Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:05Z |
| _version_ |
1795757742593409024 |