Вологочутливі структури на основі поруватого кремнію
Вивчено вплив адсорбційно-десорбційних процесів водяної пари на електричну провідність і високочастотну ємність сенсорних структур на основі поруватого кремнію в температурному діапазоні 15–40 ºC. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності залежно від концентрації водяної пари. Д...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021448 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131436314263552 |
|---|---|
| author | Olenych, I.B. Monastyrskii, L.S. Aksimentyeva, O.I. Sokolovskii, B.S. |
| author_facet | Olenych, I.B. Monastyrskii, L.S. Aksimentyeva, O.I. Sokolovskii, B.S. |
| author_sort | Olenych, I.B. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-02-04T11:55:31Z |
| description | Вивчено вплив адсорбційно-десорбційних процесів водяної пари на електричну провідність і високочастотну ємність сенсорних структур на основі поруватого кремнію в температурному діапазоні 15–40 ºC. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності залежно від концентрації водяної пари. Для оцінки сенсорних властивостей було розраховано адсорбційну чутливість структур на основі поруватого кремнію та багатошарових структур з плівкою каталітичного матеріалу. Досліджено кінетику відклику структур на зміну концентрації водяної пари. Отримані результати дозволяють оптимізувати процеси формування сенсорів вологості на основі поруватого кремнію. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe56.11.1198 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:18:09Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2021448 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:18:09Z |
| publishDate | 2022 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20214482022-02-04T11:55:31Z Вологочутливі структури на основі поруватого кремнію Humidity Sensitive Structures on the Basis of Porous Silicon Olenych, I.B. Monastyrskii, L.S. Aksimentyeva, O.I. Sokolovskii, B.S. - - Вивчено вплив адсорбційно-десорбційних процесів водяної пари на електричну провідність і високочастотну ємність сенсорних структур на основі поруватого кремнію в температурному діапазоні 15–40 ºC. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності залежно від концентрації водяної пари. Для оцінки сенсорних властивостей було розраховано адсорбційну чутливість структур на основі поруватого кремнію та багатошарових структур з плівкою каталітичного матеріалу. Досліджено кінетику відклику структур на зміну концентрації водяної пари. Отримані результати дозволяють оптимізувати процеси формування сенсорів вологості на основі поруватого кремнію. The effect of adsorption-desorption processes of water vapors on the electric conductivity and high-frequency capacity of sensorstructures based on porous silicon is investigated in the temperature range 15–40 ºC. A significant variation of the electric conductivity and the capacity as functions of the water vapor concentration is registered. To estimate the sensor properties, the adsorption sensitivity of porous silicon structures and multilayer structures with a film of catalytic material were calculated. The kinetics of response of the structures to a change of the water vapor concentration is investigated. The obtained results allow one to optimize the processes of creation of humidity sensors on the basis of porous silicon. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-03 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021448 10.15407/ujpe56.11.1198 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 11 (2011); 1198 Український фізичний журнал; Том 56 № 11 (2011); 1198 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.11 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021448/2179 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021448/2180 |
| spellingShingle | - Olenych, I.B. Monastyrskii, L.S. Aksimentyeva, O.I. Sokolovskii, B.S. Вологочутливі структури на основі поруватого кремнію |
| title | Вологочутливі структури на основі поруватого кремнію |
| title_alt | Humidity Sensitive Structures on the Basis of Porous Silicon |
| title_full | Вологочутливі структури на основі поруватого кремнію |
| title_fullStr | Вологочутливі структури на основі поруватого кремнію |
| title_full_unstemmed | Вологочутливі структури на основі поруватого кремнію |
| title_short | Вологочутливі структури на основі поруватого кремнію |
| title_sort | вологочутливі структури на основі поруватого кремнію |
| topic | - |
| topic_facet | - - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021448 |
| work_keys_str_mv | AT olenychib vologočutlivístrukturinaosnovíporuvatogokremníû AT monastyrskiils vologočutlivístrukturinaosnovíporuvatogokremníû AT aksimentyevaoi vologočutlivístrukturinaosnovíporuvatogokremníû AT sokolovskiibs vologočutlivístrukturinaosnovíporuvatogokremníû AT olenychib humiditysensitivestructuresonthebasisofporoussilicon AT monastyrskiils humiditysensitivestructuresonthebasisofporoussilicon AT aksimentyevaoi humiditysensitivestructuresonthebasisofporoussilicon AT sokolovskiibs humiditysensitivestructuresonthebasisofporoussilicon |