Локальний електромеханічний відгук тонких плівок напівпровідників-іоніків
Проведено розрахунки локального електромеханічного відгуку тонких плівок напівпровідників-іоніків, викликаного локальними змінами концентрації іонів (стехіометричний внесок) та вільних електронів і дірок (електрон-фононна взаємодія внаслідок деформаційного потенціалу). Отримано динамічні деформаційн...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021450 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2021450 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20214502022-02-04T12:00:25Z Локальний електромеханічний відгук тонких плівок напівпровідників-іоніків Local Electromechanical Response of Ionic Semiconductor Thin Films Morozovska, A.N. Svechnikov, G.S. Derkach, K.V. - - Проведено розрахунки локального електромеханічного відгуку тонких плівок напівпровідників-іоніків, викликаного локальними змінами концентрації іонів (стехіометричний внесок) та вільних електронів і дірок (електрон-фононна взаємодія внаслідок деформаційного потенціалу). Отримано динамічні деформаційно-вольтові петлі гістерезису в тонкій плівці іоніка-напівпровідника з рухливими акцепторами (донорами) і дірками (електронами). У випадку "блокуючих" електродів, які не пропускають іони, зміни концентрації дірок (електронів) вносять основний внесок у залежність механічного зміщення поверхні плівки від електричної напруги, прикладеної до зонда, що безпосередньо реєструється методами скануючої зондової мікроскопії (СЗМ). Таким чином, СЗМ переміщення поверхні іоніка-напівпровідника може надати важливу інформацію про локальні зміни зарядового стану акцепторів (донорів) та електрон-фононні кореляції через деформаційний потенціал. We report on the calculations of a local electromechanical response of ionic semiconductor thin films induced by local changes of the concentration of ions (stoichiometric contribution) and free electrons and holes (electron-phonon interaction via the deformation potential). Dynamic strain-voltage hysteresis loops are obtained for an ionic semiconductor thin film with mobile acceptors (donors) and holes (electrons). In case of ion-blocking electrodes, changes in the hole (electron) concentration make a dominant contribution to the dependence of the mechanical displacement of the film surface on the voltage applied to the probe, which is directly registered by scanning probe microscopy (SPM) methods. Thus, the displacement of the ionic semiconductor surface can provide an important information on local changes of the charge state of acceptors (donors) and electron-phonon correlations via the deformation potential. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-03 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021450 10.15407/ujpe56.11.1212 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 11 (2011); 1212 Український фізичний журнал; Том 56 № 11 (2011); 1212 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.11 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021450/2183 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021450/2184 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2022-02-04T12:00:25Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- |
| spellingShingle |
- Morozovska, A.N. Svechnikov, G.S. Derkach, K.V. Локальний електромеханічний відгук тонких плівок напівпровідників-іоніків |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Morozovska, A.N. Svechnikov, G.S. Derkach, K.V. |
| author_facet |
Morozovska, A.N. Svechnikov, G.S. Derkach, K.V. |
| author_sort |
Morozovska, A.N. |
| title |
Локальний електромеханічний відгук тонких плівок напівпровідників-іоніків |
| title_short |
Локальний електромеханічний відгук тонких плівок напівпровідників-іоніків |
| title_full |
Локальний електромеханічний відгук тонких плівок напівпровідників-іоніків |
| title_fullStr |
Локальний електромеханічний відгук тонких плівок напівпровідників-іоніків |
| title_full_unstemmed |
Локальний електромеханічний відгук тонких плівок напівпровідників-іоніків |
| title_sort |
локальний електромеханічний відгук тонких плівок напівпровідників-іоніків |
| title_alt |
Local Electromechanical Response of Ionic Semiconductor Thin Films |
| description |
Проведено розрахунки локального електромеханічного відгуку тонких плівок напівпровідників-іоніків, викликаного локальними змінами концентрації іонів (стехіометричний внесок) та вільних електронів і дірок (електрон-фононна взаємодія внаслідок деформаційного потенціалу). Отримано динамічні деформаційно-вольтові петлі гістерезису в тонкій плівці іоніка-напівпровідника з рухливими акцепторами (донорами) і дірками (електронами). У випадку "блокуючих" електродів, які не пропускають іони, зміни концентрації дірок (електронів) вносять основний внесок у залежність механічного зміщення поверхні плівки від електричної напруги, прикладеної до зонда, що безпосередньо реєструється методами скануючої зондової мікроскопії (СЗМ). Таким чином, СЗМ переміщення поверхні іоніка-напівпровідника може надати важливу інформацію про локальні зміни зарядового стану акцепторів (донорів) та електрон-фононні кореляції через деформаційний потенціал. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021450 |
| work_keys_str_mv |
AT morozovskaan lokalʹnijelektromehaníčnijvídguktonkihplívoknapívprovídnikívíoníkív AT svechnikovgs lokalʹnijelektromehaníčnijvídguktonkihplívoknapívprovídnikívíoníkív AT derkachkv lokalʹnijelektromehaníčnijvídguktonkihplívoknapívprovídnikívíoníkív AT morozovskaan localelectromechanicalresponseofionicsemiconductorthinfilms AT svechnikovgs localelectromechanicalresponseofionicsemiconductorthinfilms AT derkachkv localelectromechanicalresponseofionicsemiconductorthinfilms |
| first_indexed |
2025-10-02T01:18:09Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:18:09Z |
| _version_ |
1851765332667006976 |