Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток
Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надґраток (НҐ) GaAs/AlAs I-го та ІІ-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НҐ GaAs/AlAs з різними ширинами кван...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022009 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| Резюме: | Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надґраток (НҐ) GaAs/AlAs I-го та ІІ-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НҐ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) та бар'єрів (AlAs). При високих рівнях збудження у квазіпрямозонних НҐ формується електронно-діркова плазма, концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання електронно-діркової плазми в НҐ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів. |
|---|