Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток
Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надґраток (НҐ) GaAs/AlAs I-го та ІІ-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НҐ GaAs/AlAs з різними ширинами кван...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022009 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022009 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20220092022-02-07T16:11:14Z Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток Luminescent Properties of Near-Surface Semicondictive Layers and Quantum Superlattices Lytovchenko, V.G. Korbutyak, D.V. - - Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надґраток (НҐ) GaAs/AlAs I-го та ІІ-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НҐ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) та бар'єрів (AlAs). При високих рівнях збудження у квазіпрямозонних НҐ формується електронно-діркова плазма, концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання електронно-діркової плазми в НҐ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів. The new results of studies of the GaAs/AlAs quantum superlattices (QSLs) of the I and II types and the interfaces of heterostructures (surface effects) using the pulse (femtosecond) light excitation technique have been presented. The peculiarities of the hotoluminescence relaxation of QSLs with various thicknesses of Q-layers (GaAs) and barriers (AlAs) are analyzed. It is demonstrated that, at a high excitation level, the electron-hole plasma appears in the quasidirect-gap QSLs, where the density of free carriers is by more than one order larger than that possible for the bulk of GaAs. By studying the spectra of spontaneous and stimulated emissions, we calculate the optical gain coefficient as a function of the pumping density for nonlinear effects. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-06 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022009 10.15407/ujpe56.10.1072 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 10 (2011); 1072 Український фізичний журнал; Том 56 № 10 (2011); 1072 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.10 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022009/2219 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022009/2220 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2022-02-07T16:11:14Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- |
| spellingShingle |
- Lytovchenko, V.G. Korbutyak, D.V. Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Lytovchenko, V.G. Korbutyak, D.V. |
| author_facet |
Lytovchenko, V.G. Korbutyak, D.V. |
| author_sort |
Lytovchenko, V.G. |
| title |
Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток |
| title_short |
Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток |
| title_full |
Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток |
| title_fullStr |
Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток |
| title_full_unstemmed |
Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток |
| title_sort |
люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток |
| title_alt |
Luminescent Properties of Near-Surface Semicondictive Layers and Quantum Superlattices |
| description |
Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надґраток (НҐ) GaAs/AlAs I-го та ІІ-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НҐ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) та бар'єрів (AlAs). При високих рівнях збудження у квазіпрямозонних НҐ формується електронно-діркова плазма, концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання електронно-діркової плазми в НҐ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022009 |
| work_keys_str_mv |
AT lytovchenkovg lûmínescentnívlastivostípripoverhnevihnapívprovídnikovihšarívtakvantovihnadgratok AT korbutyakdv lûmínescentnívlastivostípripoverhnevihnapívprovídnikovihšarívtakvantovihnadgratok AT lytovchenkovg luminescentpropertiesofnearsurfacesemicondictivelayersandquantumsuperlattices AT korbutyakdv luminescentpropertiesofnearsurfacesemicondictivelayersandquantumsuperlattices |
| first_indexed |
2025-10-02T01:18:13Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:18:13Z |
| _version_ |
1851765339054931968 |