Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів
Розглянуто вплив одновісного тиску на рухливість носіїв струму у кристалах n-Si та p-Si, який використовується при виготовленні n-МОН та p-МОН транзисторів. Представлено залежності поздовжнього і поперечного тензорезистивних (ТР) ефектів, отримано у кремнії p-типу для головних кристалографічних оріє...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022027 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022027 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20220272022-02-08T07:42:42Z Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів Silicon p-MOS and n-MOS Transistors with Uniaxially Strained Channels in Electronic Device Nanotechnology Gorin, A.E. Gromova, G.V. Ermakov, V.M. Kogoutyuk, P.P. Kolomoets, V.V. Nasarchuk, P.F. Panasjuk, L.I. Fedosov, S.A. - - Розглянуто вплив одновісного тиску на рухливість носіїв струму у кристалах n-Si та p-Si, який використовується при виготовленні n-МОН та p-МОН транзисторів. Представлено залежності поздовжнього і поперечного тензорезистивних (ТР) ефектів, отримано у кремнії p-типу для головних кристалографічних орієнтацій X ║ [100], X ║ [110], X ║ [111]. Стрімке зменшення поздовжнього ТР ефекту в p-Si зі збільшенням тиску пов'язано із зменшенням поздовжньої ефективної маси важких дірок і відповідним збільшенням їх рухливості при зростанні X. У кремнії n-типу зі збільшенням одновісного тиску X ║ [100] відбувається повне усунення f-переходів з міждолинного розсіювання при великому енергетичному розщепленні однотипних ∆1-долин (∆ε > 10 кТ), що веде до зростання при цьому рухливості електронів у температурному інтервалі 78–300 К. На величину рухливості електронів у цьому температурному інтервалі зміна g-переходів при розщепленні однотипних ∆1 долин не впливає. Крім того, наведено технологічні розробки, які використовує фірма “Intel Corporation” при виробництві інтегральних мікросхем з одновісно-деформованими каналами МОН транзисторів. The effect of uniaxial stress on the mobility of charge carriers in n-Si and p-Si crystals used for the fabrication of n-MOS and p-MOS transistors is considered. The stress dependences of the longitudinal and transverse tensoresistive effects in p-Si obtained for the principal crystallographic orientations (X ║ [100], X ║ [110], and X ║ [111]) are presented. An abrupt decrease of the longitudinal tensoresistive effect in p-Si with increasing stress is due to a reduction of the longitudinal effective mass of heavy holes and the corresponding rise of their mobility. In n-Si, a growth of the uniaxial stress X ║ [100] results in the complete removal of f-transitions from intervalley scattering under a large energy splitting of single-type ∆1-valleys (∆ε > 10 kT), which leads to an increase of the electron mobility in the temperature range 78–300 K. The change of g-transitions under the splitting of single-type ∆1 valleys in this temperature interval has no effect on the electron mobility. We also describe technological developments used by “Intel Corporation” for the fabrication of integrated circuits with uniaxially strained channels of MOS transistors. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-08 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022027 10.15407/ujpe56.9.917 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 9 (2011); 917 Український фізичний журнал; Том 56 № 9 (2011); 917 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.9 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022027/2245 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022027/2246 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Gorin, A.E. Gromova, G.V. Ermakov, V.M. Kogoutyuk, P.P. Kolomoets, V.V. Nasarchuk, P.F. Panasjuk, L.I. Fedosov, S.A. Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Gorin, A.E. Gromova, G.V. Ermakov, V.M. Kogoutyuk, P.P. Kolomoets, V.V. Nasarchuk, P.F. Panasjuk, L.I. Fedosov, S.A. |
| author_facet |
Gorin, A.E. Gromova, G.V. Ermakov, V.M. Kogoutyuk, P.P. Kolomoets, V.V. Nasarchuk, P.F. Panasjuk, L.I. Fedosov, S.A. |
| author_sort |
Gorin, A.E. |
| title |
Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів |
| title_short |
Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів |
| title_full |
Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів |
| title_fullStr |
Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів |
| title_full_unstemmed |
Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів |
| title_sort |
кремнієві р-мон та n-мон транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів |
| title_alt |
Silicon p-MOS and n-MOS Transistors with Uniaxially Strained Channels in Electronic Device Nanotechnology |
| description |
Розглянуто вплив одновісного тиску на рухливість носіїв струму у кристалах n-Si та p-Si, який використовується при виготовленні n-МОН та p-МОН транзисторів. Представлено залежності поздовжнього і поперечного тензорезистивних (ТР) ефектів, отримано у кремнії p-типу для головних кристалографічних орієнтацій X ║ [100], X ║ [110], X ║ [111]. Стрімке зменшення поздовжнього ТР ефекту в p-Si зі збільшенням тиску пов'язано із зменшенням поздовжньої ефективної маси важких дірок і відповідним збільшенням їх рухливості при зростанні X. У кремнії n-типу зі збільшенням одновісного тиску X ║ [100] відбувається повне усунення f-переходів з міждолинного розсіювання при великому енергетичному розщепленні однотипних ∆1-долин (∆ε > 10 кТ), що веде до зростання при цьому рухливості електронів у температурному інтервалі 78–300 К. На величину рухливості електронів у цьому температурному інтервалі зміна g-переходів при розщепленні однотипних ∆1 долин не впливає. Крім того, наведено технологічні розробки, які використовує фірма “Intel Corporation” при виробництві інтегральних мікросхем з одновісно-деформованими каналами МОН транзисторів. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022027 |
| work_keys_str_mv |
AT gorinae kremníêvírmontanmontranzistorizodnovísnodeformovanimikanalamiunanotehnologííelektronnihpriladív AT gromovagv kremníêvírmontanmontranzistorizodnovísnodeformovanimikanalamiunanotehnologííelektronnihpriladív AT ermakovvm kremníêvírmontanmontranzistorizodnovísnodeformovanimikanalamiunanotehnologííelektronnihpriladív AT kogoutyukpp kremníêvírmontanmontranzistorizodnovísnodeformovanimikanalamiunanotehnologííelektronnihpriladív AT kolomoetsvv kremníêvírmontanmontranzistorizodnovísnodeformovanimikanalamiunanotehnologííelektronnihpriladív AT nasarchukpf kremníêvírmontanmontranzistorizodnovísnodeformovanimikanalamiunanotehnologííelektronnihpriladív AT panasjukli kremníêvírmontanmontranzistorizodnovísnodeformovanimikanalamiunanotehnologííelektronnihpriladív AT fedosovsa kremníêvírmontanmontranzistorizodnovísnodeformovanimikanalamiunanotehnologííelektronnihpriladív AT gorinae siliconpmosandnmostransistorswithuniaxiallystrainedchannelsinelectronicdevicenanotechnology AT gromovagv siliconpmosandnmostransistorswithuniaxiallystrainedchannelsinelectronicdevicenanotechnology AT ermakovvm siliconpmosandnmostransistorswithuniaxiallystrainedchannelsinelectronicdevicenanotechnology AT kogoutyukpp siliconpmosandnmostransistorswithuniaxiallystrainedchannelsinelectronicdevicenanotechnology AT kolomoetsvv siliconpmosandnmostransistorswithuniaxiallystrainedchannelsinelectronicdevicenanotechnology AT nasarchukpf siliconpmosandnmostransistorswithuniaxiallystrainedchannelsinelectronicdevicenanotechnology AT panasjukli siliconpmosandnmostransistorswithuniaxiallystrainedchannelsinelectronicdevicenanotechnology AT fedosovsa siliconpmosandnmostransistorswithuniaxiallystrainedchannelsinelectronicdevicenanotechnology |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:17Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:17Z |
| _version_ |
1795757748152958976 |