Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів

• Дата: 2022
• Автори: Gorin, A.E., Gromova, G.V., Ermakov, V.M., Kogoutyuk, P.P., Kolomoets, V.V., Nasarchuk, P.F., Panasjuk, L.I., Fedosov, S.A.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian; English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2022
• Теми: -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022027
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Розглянуто вплив одновісного тиску на рухливість носіїв струму у кристалах n-Si та p-Si, який використовується при виготовленні n-МОН та p-МОН транзисторів. Представлено залежності поздовжнього і поперечного тензорезистивних (ТР) ефектів, отримано у кремнії p-типу для головних кристалографічних оріє...