2025-02-23T10:22:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022027%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T10:22:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022027%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T10:22:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-23T10:22:02-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів

Розглянуто вплив одновісного тиску на рухливість носіїв струму у кристалах n-Si та p-Si, який використовується при виготовленні n-МОН та p-МОН транзисторів. Представлено залежності поздовжнього і поперечного тензорезистивних (ТР) ефектів, отримано у кремнії p-типу для головних кристалографічних оріє...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Gorin, A.E., Gromova, G.V., Ermakov, V.M., Kogoutyuk, P.P., Kolomoets, V.V., Nasarchuk, P.F., Panasjuk, L.I., Fedosov, S.A.
Format:	Article
Language:	Ukrainian English
Published:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Subjects:	-
Online Access:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022027
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

Be the first to leave a comment!

Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів

Similar Items