Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами п...
Gespeichert in:
| Datum: | 2022 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022028 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20220282022-02-08T14:41:37Z Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні Mechanism of Annealing of VO Defects in n-Si Under Pulse Electron Irradiation at High-Temperatures Kraitchinskii, A.M. Kras’ko, M.M. Kolosiuk, A.G. Petrunya , R.V. Povarchuk, V.Yu. Voitovych, V.V. Neimash, V.B. Makara, V.A. Rudenko, R.M. - - Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами при таких температурах приводить до прискореного відпалу VO, створених цим опроміненням. Прискорений відпал VO відбувається у процесі дії імпульсу електронів. Максимальна концентрація VO, яка при цьому утворюється, зростає зі збільшенням інтенсивності опромінення і зменшується при збільшенні температури зразків при опроміненні. Запропоновано модель процесу прискореного відпалу, яка ґрунтується на тому, що при електронному опроміненні збуджуються електрони у високоенергетичну долину. При захопленні VO дефектами таких електронів дефектам передається енергія, яка суттєво зменшує енергію активації їх відпалу. Високотемпературна межа ефекту залежить від інтенсивності опромінення і зростає зі збільшенням інтенсивності. We study the kinetics of accumulation of vacancy-oxygen (VO) complexes in Czochralski-grown (Cz) n-Si, at various intensities of pulse 1 MeV electron radiation at temperatures higher than the temperature of the onset of the thermal annealing of VO (T ≥ 300 ºC). It is shown that the irradiation with electrons at such temperatures causes the accelerated annealing of VO created by this radiation. The accelerated annealing of VO occurs during the action of a pulse of electrons. The maximum concentration of created VO increases with the radiation intensity and decreases, as the temperature of irradiated specimens increases. We propose a model of the process of accelerated annealing which is based on the assumption that specimen's electrons under the electron irradiation are excited in a high-energy valley. At the capture of such electrons by VO defects, the defects receive the energy which decreases essentially the energy of activation of their annealing. The high-energy threshold of the effect depends on the radiation intensity and increases with it. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-08 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028 10.15407/ujpe56.9.922 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 9 (2011); 922 Український фізичний журнал; Том 56 № 9 (2011); 922 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.9 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028/2247 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028/2248 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2022-02-08T14:41:37Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- |
| spellingShingle |
- Kraitchinskii, A.M. Kras’ko, M.M. Kolosiuk, A.G. Petrunya , R.V. Povarchuk, V.Yu. Voitovych, V.V. Neimash, V.B. Makara, V.A. Rudenko, R.M. Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Kraitchinskii, A.M. Kras’ko, M.M. Kolosiuk, A.G. Petrunya , R.V. Povarchuk, V.Yu. Voitovych, V.V. Neimash, V.B. Makara, V.A. Rudenko, R.M. |
| author_facet |
Kraitchinskii, A.M. Kras’ko, M.M. Kolosiuk, A.G. Petrunya , R.V. Povarchuk, V.Yu. Voitovych, V.V. Neimash, V.B. Makara, V.A. Rudenko, R.M. |
| author_sort |
Kraitchinskii, A.M. |
| title |
Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні |
| title_short |
Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні |
| title_full |
Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні |
| title_fullStr |
Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні |
| title_full_unstemmed |
Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні |
| title_sort |
механізм відпалу vo дефектів в n-si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні |
| title_alt |
Mechanism of Annealing of VO Defects in n-Si Under Pulse Electron Irradiation at High-Temperatures |
| description |
Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами при таких температурах приводить до прискореного відпалу VO, створених цим опроміненням. Прискорений відпал VO відбувається у процесі дії імпульсу електронів. Максимальна концентрація VO, яка при цьому утворюється, зростає зі збільшенням інтенсивності опромінення і зменшується при збільшенні температури зразків при опроміненні. Запропоновано модель процесу прискореного відпалу, яка ґрунтується на тому, що при електронному опроміненні збуджуються електрони у високоенергетичну долину. При захопленні VO дефектами таких електронів дефектам передається енергія, яка суттєво зменшує енергію активації їх відпалу. Високотемпературна межа ефекту залежить від інтенсивності опромінення і зростає зі збільшенням інтенсивності. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028 |
| work_keys_str_mv |
AT kraitchinskiiam mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní AT kraskomm mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní AT kolosiukag mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní AT petrunyarv mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní AT povarchukvyu mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní AT voitovychvv mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní AT neimashvb mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní AT makarava mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní AT rudenkorm mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní AT kraitchinskiiam mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures AT kraskomm mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures AT kolosiukag mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures AT petrunyarv mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures AT povarchukvyu mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures AT voitovychvv mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures AT neimashvb mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures AT makarava mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures AT rudenkorm mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures |
| first_indexed |
2025-10-02T01:18:15Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:18:15Z |
| _version_ |
1851765341201367040 |