2025-02-23T09:14:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022028%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:14:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022028%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:14:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T09:14:04-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні

Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні

Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами п...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Kraitchinskii, A.M., Kras’ko, M.M., Kolosiuk, A.G., Petrunya , R.V., Povarchuk, V.Yu., Voitovych, V.V., Neimash, V.B., Makara, V.A., Rudenko, R.M.
Format: Article
Language:Ukrainian
English
Published: Publishing house "Academperiodika" 2022
Subjects:
-
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id ujp2-article-2022028
record_format ojs
spelling ujp2-article-20220282022-02-08T07:42:42Z Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні Mechanism of Annealing of VO Defects in n-Si Under Pulse Electron Irradiation at High-Temperatures Kraitchinskii, A.M. Kras’ko, M.M. Kolosiuk, A.G. Petrunya , R.V. Povarchuk, V.Yu. Voitovych, V.V. Neimash, V.B. Makara, V.A. Rudenko, R.M. - - Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами при таких температурах приводить до прискореного відпалу VO, створених цим опроміненням. Прискорений відпал VO відбувається у процесі дії імпульсу електронів. Максимальна концентрація VO, яка при цьому утворюється, зростає зі збільшенням інтенсивності опромінення і зменшується при збільшенні температури зразків при опроміненні. Запропоновано модель процесу прискореного відпалу, яка ґрунтується на тому, що при електронному опроміненні збуджуються електрони у високоенергетичну долину. При захопленні VO дефектами таких електронів дефектам передається енергія, яка суттєво зменшує енергію активації їх відпалу. Високотемпературна межа ефекту залежить від інтенсивності опромінення і зростає зі збільшенням інтенсивності. We study the kinetics of accumulation of vacancy-oxygen (VO) complexes in Czochralski-grown (Cz) n-Si, at various intensities of pulse 1 MeV electron radiation at temperatures higher than the temperature of the onset of the thermal annealing of VO (T ≥ 300 ºC). It is shown that the irradiation with electrons at such temperatures causes the accelerated annealing of VO created by this radiation. The accelerated annealing of VO occurs during the action of a pulse of electrons. The maximum concentration of created VO increases with the radiation intensity and decreases, as the temperature of irradiated specimens increases. We propose a model of the process of accelerated annealing which is based on the assumption that specimen's electrons under the electron irradiation are excited in a high-energy valley. At the capture of such electrons by VO defects, the defects receive the energy which decreases essentially the energy of activation of their annealing. The high-energy threshold of the effect depends on the radiation intensity and increases with it. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-08 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028 10.15407/ujpe56.9.922 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 9 (2011); 922 Український фізичний журнал; Том 56 № 9 (2011); 922 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.9 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028/2247 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028/2248
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language Ukrainian
English
topic -
-
spellingShingle -
-
Kraitchinskii, A.M.
Kras’ko, M.M.
Kolosiuk, A.G.
Petrunya , R.V.
Povarchuk, V.Yu.
Voitovych, V.V.
Neimash, V.B.
Makara, V.A.
Rudenko, R.M.
Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
topic_facet -
-
format Article
author Kraitchinskii, A.M.
Kras’ko, M.M.
Kolosiuk, A.G.
Petrunya , R.V.
Povarchuk, V.Yu.
Voitovych, V.V.
Neimash, V.B.
Makara, V.A.
Rudenko, R.M.
author_facet Kraitchinskii, A.M.
Kras’ko, M.M.
Kolosiuk, A.G.
Petrunya , R.V.
Povarchuk, V.Yu.
Voitovych, V.V.
Neimash, V.B.
Makara, V.A.
Rudenko, R.M.
author_sort Kraitchinskii, A.M.
title Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
title_short Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
title_full Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
title_fullStr Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
title_full_unstemmed Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
title_sort механізм відпалу vo дефектів в n-si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
title_alt Mechanism of Annealing of VO Defects in n-Si Under Pulse Electron Irradiation at High-Temperatures
description Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами при таких температурах приводить до прискореного відпалу VO, створених цим опроміненням. Прискорений відпал VO відбувається у процесі дії імпульсу електронів. Максимальна концентрація VO, яка при цьому утворюється, зростає зі збільшенням інтенсивності опромінення і зменшується при збільшенні температури зразків при опроміненні. Запропоновано модель процесу прискореного відпалу, яка ґрунтується на тому, що при електронному опроміненні збуджуються електрони у високоенергетичну долину. При захопленні VO дефектами таких електронів дефектам передається енергія, яка суттєво зменшує енергію активації їх відпалу. Високотемпературна межа ефекту залежить від інтенсивності опромінення і зростає зі збільшенням інтенсивності.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2022
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028
work_keys_str_mv AT kraitchinskiiam mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní
AT kraskomm mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní
AT kolosiukag mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní
AT petrunyarv mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní
AT povarchukvyu mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní
AT voitovychvv mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní
AT neimashvb mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní
AT makarava mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní
AT rudenkorm mehanízmvídpaluvodefektívvnsiprivisokotemperaturnomuímpulʹsnomuelektronnomuopromínenní
AT kraitchinskiiam mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures
AT kraskomm mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures
AT kolosiukag mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures
AT petrunyarv mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures
AT povarchukvyu mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures
AT voitovychvv mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures
AT neimashvb mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures
AT makarava mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures
AT rudenkorm mechanismofannealingofvodefectsinnsiunderpulseelectronirradiationathightemperatures
first_indexed 2023-03-24T09:00:17Z
last_indexed 2023-03-24T09:00:17Z
_version_ 1795757748259913728

Similar Items