Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами п...
Saved in:
| Date: | 2022 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |