Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами п...
Gespeichert in:
| Datum: | 2022 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |