Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії
The effect of excess point defects on the equilibrium concentration of interstitial oxygen for the system of interstitial oxygen/SiO2 precipitates in crystalline Si is theoretically investigated. The expression for the equilibrium concentration of interstitial oxygen in Si modified by the excess poi...
Збережено в:
| Видавець: | Publishing house "Academperiodika" |
|---|---|
| Дата: | 2022 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022078 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022078 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20220782022-02-10T18:14:22Z Influence of Point Defects on the Equilibrium Concentration of Interstitial Oxygen in Crystalline Silicon Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії Sarikov, A. - - The effect of excess point defects on the equilibrium concentration of interstitial oxygen for the system of interstitial oxygen/SiO2 precipitates in crystalline Si is theoretically investigated. The expression for the equilibrium concentration of interstitial oxygen in Si modified by the excess point defects is derived. Excess vacancies in Si are found to decrease this concentration, while the excess Si self-interstitials have the opposite effect. The effects of different conditions for the point defect generation on the equilibrium in the system of interstitial oxygen/SiO2 precipitates in crystalline Si are studied. У даній роботі теоретично досліджено вплив нерівноважних точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню для системи міжвузловий кисень–преципітати SiO2 у кристалічному кремнії. Отримано вираз для рівноважної концентрації міжвузлового кисню у кремнії, модифікованої присутністю нерівноважних точкових дефектів. Нерівноважні вакансії приводять до зменшення згаданої концентрації, тоді як нерівноважні міжвузлові атоми кремнію мають протилежний ефект. Вивчено вплив різних умов генерації точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню в системі міжвузловий кисень–преципітати SiO2 у кристалічному кремнії. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-10 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022078 10.15407/ujpe56.6.570 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 6 (2011); 570 Український фізичний журнал; Том 56 № 6 (2011); 570 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.6 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022078/2304 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Sarikov, A. Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Sarikov, A. |
| author_facet |
Sarikov, A. |
| author_sort |
Sarikov, A. |
| title |
Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії |
| title_short |
Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії |
| title_full |
Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії |
| title_fullStr |
Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії |
| title_full_unstemmed |
Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії |
| title_sort |
вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії |
| title_alt |
Influence of Point Defects on the Equilibrium Concentration of Interstitial Oxygen in Crystalline Silicon |
| description |
The effect of excess point defects on the equilibrium concentration of interstitial oxygen for the system of interstitial oxygen/SiO2 precipitates in crystalline Si is theoretically investigated. The expression for the equilibrium concentration of interstitial oxygen in Si modified by the excess point defects is derived. Excess vacancies in Si are found to decrease this concentration, while the excess Si self-interstitials have the opposite effect. The effects of different conditions for the point defect generation on the equilibrium in the system of interstitial oxygen/SiO2 precipitates in crystalline Si are studied. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022078 |
| work_keys_str_mv |
AT sarikova influenceofpointdefectsontheequilibriumconcentrationofinterstitialoxygenincrystallinesilicon AT sarikova vplivtočkovihdefektívnarívnovažnukoncentracíûmížvuzlovogokisnûukristalíčnomukremníí |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:28Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:28Z |
| _version_ |
1795757753164103680 |