Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії

The effect of excess point defects on the equilibrium concentration of interstitial oxygen for the system of interstitial oxygen/SiO2 precipitates in crystalline Si is theoretically investigated. The expression for the equilibrium concentration of interstitial oxygen in Si modified by the excess poi...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2022
Автор: Sarikov, A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2022
Теми:
-
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022078
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

Схожі ресурси