Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії
The effect of excess point defects on the equilibrium concentration of interstitial oxygen for the system of interstitial oxygen/SiO2 precipitates in crystalline Si is theoretically investigated. The expression for the equilibrium concentration of interstitial oxygen in Si modified by the excess poi...
Збережено в:
Дата: | 2022 |
---|---|
Автор: | Sarikov, A. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022078 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Термодинаміка власних точкових дефектів телуриду стануму
за авторством: Фреїк, Д.М., та інші
Опубліковано: (2011) -
Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії
за авторством: Плющай, І.В., та інші
Опубліковано: (2013) -
Фізична кінетика перерозподілу точкових дефектів у опромінюваних кристалах
за авторством: Олійник, О.В., та інші
Опубліковано: (2012) -
Термодинаміка власних точкових дефектів і область гомогенності моносульфіду самарію
за авторством: Фреїк, Д.М., та інші
Опубліковано: (2012) -
Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії
за авторством: Плющай, І.В., та інші
Опубліковано: (2014)