Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії
The effect of excess point defects on the equilibrium concentration of interstitial oxygen for the system of interstitial oxygen/SiO2 precipitates in crystalline Si is theoretically investigated. The expression for the equilibrium concentration of interstitial oxygen in Si modified by the excess poi...
Gespeichert in:
| Datum: | 2022 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Sarikov, A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022078 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsÄhnliche Einträge
-
Термодинаміка власних точкових дефектів телуриду стануму
von: Фреїк, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії
von: Плющай, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Фізична кінетика перерозподілу точкових дефектів у опромінюваних кристалах
von: Олійник, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії
von: Плющай, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Термодинаміка власних точкових дефектів і область гомогенності моносульфіду самарію
von: Фреїк, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)