Вплив точкових дефектів на рівноважну концентрацію міжвузлового кисню у кристалічному кремнії
The effect of excess point defects on the equilibrium concentration of interstitial oxygen for the system of interstitial oxygen/SiO2 precipitates in crystalline Si is theoretically investigated. The expression for the equilibrium concentration of interstitial oxygen in Si modified by the excess poi...
Saved in:
| Date: | 2022 |
|---|---|
| Main Author: | Sarikov, A. |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022078 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsSimilar Items
-
Термодинаміка власних точкових дефектів телуриду стануму
by: Фреїк, Д.М., et al.
Published: (2011) -
Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії
by: Плющай, І.В., et al.
Published: (2013) -
Фізична кінетика перерозподілу точкових дефектів у опромінюваних кристалах
by: Олійник, О.В., et al.
Published: (2012) -
Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії
by: Плющай, І.В., et al.
Published: (2014) -
Термодинаміка власних точкових дефектів і область гомогенності моносульфіду самарію
by: Фреїк, Д.М., et al.
Published: (2012)