Обернення хвильового фронту в InSb(Cu)
It is shown that the doping of narrow-band semiconductor InSb by copper leads to an enhancement of the phase conjugation efficiency at low intensities of laser radiation.
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | Linnik, L.F., Linnik, L.G., Staryi, S.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022088 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017) -
Laser – induced donor centers in p-InSb
за авторством: Fedorenko, L., та інші
Опубліковано: (2000) -
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016) -
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016) -
InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)