Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
Для циліндричних квантових дротів (КД) кристалів гексагональної симетрії ZnO та GaN визначено залежності енергії поляризаційних фононів від хвильового вектора, а також енергії та ефективну масу полярона від радіуса КД (R). Показано, що основний внесок у основні параметри полярона (енергію та ефектив...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022092 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| Резюме: | Для циліндричних квантових дротів (КД) кристалів гексагональної симетрії ZnO та GaN визначено залежності енергії поляризаційних фононів від хвильового вектора, а також енергії та ефективну масу полярона від радіуса КД (R). Показано, що основний внесок у основні параметри полярона (енергію та ефективну масу) задають квазіпоздовжні та інтерфейсні фононні моди. Встановлено, що в області R > 15 нм внесок квазіпоздовжніх фононів є основним. Проведено порівняння енергії полярона КД для кристалів кубічної та гексагональної симетрії. |
|---|