Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
Побудовано теоретичну модель процесу частотної модуляції випромінювання при рекомбінаційному переході між основними станами електрона та дірки в гетероструктурі InAs/GaAs з квантовими точками InAs за допомогою акустичної хвилі. Встановлено характер залежності амплітуди частотної модуляції від частот...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022102 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022102 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20221022022-02-14T20:10:14Z Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі Frequency Modulation of Recombination Radiation Emitted by an InAs/GaAs Heterostructure with InAs Quantum Dots under the Influence of an Acoustic Wave Peleshchak, R.M. Dan’kiv, O.O. Kuzyk, O.V. - - Побудовано теоретичну модель процесу частотної модуляції випромінювання при рекомбінаційному переході між основними станами електрона та дірки в гетероструктурі InAs/GaAs з квантовими точками InAs за допомогою акустичної хвилі. Встановлено характер залежності амплітуди частотної модуляції від частоти акустичної хвилі. We have developed a theoretical model that describes the process of frequency modulation of radiation emitted at the recombination transition between the ground states of an electron and a hole in the InAs/GaAs heterostructure with InAs/GaAs quantum dots, the modulation being induced by an acoustic wave. The character of the dependence of the frequency modulation amplitude on the acoustic wave frequency is determined. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-14 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022102 10.15407/ujpe56.4.344 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 4 (2011); 344 Український фізичний журнал; Том 56 № 4 (2011); 344 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.4 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022102/2345 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022102/2346 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Peleshchak, R.M. Dan’kiv, O.O. Kuzyk, O.V. Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Peleshchak, R.M. Dan’kiv, O.O. Kuzyk, O.V. |
| author_facet |
Peleshchak, R.M. Dan’kiv, O.O. Kuzyk, O.V. |
| author_sort |
Peleshchak, R.M. |
| title |
Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі |
| title_short |
Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі |
| title_full |
Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі |
| title_fullStr |
Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі |
| title_full_unstemmed |
Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі |
| title_sort |
частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури inas/gaas з квантовими точками inas під впливом акустичної хвилі |
| title_alt |
Frequency Modulation of Recombination Radiation Emitted by an InAs/GaAs Heterostructure with InAs Quantum Dots under the Influence of an Acoustic Wave |
| description |
Побудовано теоретичну модель процесу частотної модуляції випромінювання при рекомбінаційному переході між основними станами електрона та дірки в гетероструктурі InAs/GaAs з квантовими точками InAs за допомогою акустичної хвилі. Встановлено характер залежності амплітуди частотної модуляції від частоти акустичної хвилі. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022102 |
| work_keys_str_mv |
AT peleshchakrm častotnamodulâcíârekombínacíjnogovipromínûvannâgeterostrukturiinasgaaszkvantovimitočkamiinaspídvplivomakustičnoíhvilí AT dankivoo častotnamodulâcíârekombínacíjnogovipromínûvannâgeterostrukturiinasgaaszkvantovimitočkamiinaspídvplivomakustičnoíhvilí AT kuzykov častotnamodulâcíârekombínacíjnogovipromínûvannâgeterostrukturiinasgaaszkvantovimitočkamiinaspídvplivomakustičnoíhvilí AT peleshchakrm frequencymodulationofrecombinationradiationemittedbyaninasgaasheterostructurewithinasquantumdotsundertheinfluenceofanacousticwave AT dankivoo frequencymodulationofrecombinationradiationemittedbyaninasgaasheterostructurewithinasquantumdotsundertheinfluenceofanacousticwave AT kuzykov frequencymodulationofrecombinationradiationemittedbyaninasgaasheterostructurewithinasquantumdotsundertheinfluenceofanacousticwave |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:33Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:33Z |
| _version_ |
1795757755721580544 |