Buchumschlag

Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі

We have developed a theoretical model that describes the process of frequency modulation of radiation emitted at the recombination transition between the ground states of an electron and a hole in the InAs/GaAs heterostructure with InAs/GaAs quantum dots, the modulation being induced by an acoustic...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2022
Hauptverfasser:	Peleshchak, R.M., Dan’kiv, O.O., Kuzyk, O.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch Englisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Schlagworte:	-
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022102
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Модуляція напрямку випромінювання гетеролазера з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
von: R. M. Peleshchak, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
von: R. M. Peleshchak, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

InAs photodiodes (review)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)

InAs фотодіоди (огляд)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою
von: Peleshchak, R. M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Розсіювання акустичної хвилі порою
von: Нагорний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Non-linear model of impurity diffusion in nanoporous materials upon ultrasonic treatment
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Енергетичний спектр електронів у тришаровій гетеросистемі із самоорганізованими дефектно-деформаційними структурами
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs
von: Kаrpenko, А.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
von: Martin, P.M., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
von: Dan'kiv, O.O., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
von: Вакуленко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Тунелювання електронів в гетероструктурі германій/кремній з германієвими квантовими точками: теорія
von: Pokutnyi, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Гібридні наноструктури з квантовими точками А₂В₆ і металевими наночастинками (огляд)
von: Крюченко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodi-odes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Квантовый эффект Холла в двойной квантовой яме InAs/AlSb
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Resonance Raman scattering by intersubband plasmon-phonon excitations in InAs/AlSb structures
von: Valakh, M.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Взаємодія електромагнетного випромінення з квантововимірними електронними станами в наногетероструктурах з квантовими точками
von: Покутній, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками
von: Кондратенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)