Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
Одержано експериментальні результати по дослідженню баричної чутливості шаруватих напівпровідникових кристалів InSe, GaSe та їх металевих інтеркалятів. Результати вимірювань дозволили визначити коефіцієнт баричної (динамічної) чутливості для даних сполук. Високі значення коефіцієнта баричної чутливо...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022105 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| Резюме: | Одержано експериментальні результати по дослідженню баричної чутливості шаруватих напівпровідникових кристалів InSe, GaSe та їх металевих інтеркалятів. Результати вимірювань дозволили визначити коефіцієнт баричної (динамічної) чутливості для даних сполук. Високі значення коефіцієнта баричної чутливості монокристалів InSe, GaSe та їх інтеркалятів (kP ≈ 10–8–10–7 Па–1) для швидкозмінних тисків відкрили можливість для їх використання у ролі чутливих елементів індикаторів перевантажень (акселерометрів). З проведених вимірювань та розрахунків для структур шаруватий напівпровідник–кремній встановлено, що в області відносних деформацій ~10–5 Па–1 коефіцієнт тензочутливості kT = 1300–1500, в області відносних деформацій ~10–4 Па–1 значення kT = 300. Визначено, що тензочутливість інтеркалятів шаруватих кристалів залежить від ступеня перекриття орбіт атомів інтеркальованої домішки та її концентрації. |
|---|