Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
Одержано експериментальні результати по дослідженню баричної чутливості шаруватих напівпровідникових кристалів InSe, GaSe та їх металевих інтеркалятів. Результати вимірювань дозволили визначити коефіцієнт баричної (динамічної) чутливості для даних сполук. Високі значення коефіцієнта баричної чутливо...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022105 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022105 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20221052022-02-14T20:10:14Z Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe Pressure and Strain Sensitivity of InSe and GaSe Layered Semiconductors Kovalyuk, Z.D. Pyrlya, M.M. Boledzyuk, V.B. Shevchik, V.V. - - Одержано експериментальні результати по дослідженню баричної чутливості шаруватих напівпровідникових кристалів InSe, GaSe та їх металевих інтеркалятів. Результати вимірювань дозволили визначити коефіцієнт баричної (динамічної) чутливості для даних сполук. Високі значення коефіцієнта баричної чутливості монокристалів InSe, GaSe та їх інтеркалятів (kP ≈ 10–8–10–7 Па–1) для швидкозмінних тисків відкрили можливість для їх використання у ролі чутливих елементів індикаторів перевантажень (акселерометрів). З проведених вимірювань та розрахунків для структур шаруватий напівпровідник–кремній встановлено, що в області відносних деформацій ~10–5 Па–1 коефіцієнт тензочутливості kT = 1300–1500, в області відносних деформацій ~10–4 Па–1 значення kT = 300. Визначено, що тензочутливість інтеркалятів шаруватих кристалів залежить від ступеня перекриття орбіт атомів інтеркальованої домішки та її концентрації. Experimental data on the pressure sensitivity of InSe and GaSe layered semiconductor crystals and their metal intercalates areobtained. From the measurement results, the pressure (dynamic) sensitivity coefficient for these compounds is determined. Highvalues of the pressure sensitivity coefficient for InSe and GaSe crystals and their intercalates at fast-varying pressures (kP ≈ 10–8–10–7 Pa–1) open a possibility to use them as sensitive elements of overload indicators (accelerometers). Based on the measurements and the calculations carried out for ``layered crystal–silicon'' structures, it is established that, in the range of relative deformations of the order of 10–5 Pa–1, the strain sensitivity factor kT = 1300–1500, while, in the range of relative deformations of 10–4 Pa–1, kT = 300. It is found that the strain sensitivity of intercalated layered crystals depends on the degree of overlapping of the atomic orbits of an intercalant and its density. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-14 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022105 10.15407/ujpe56.4.366 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 4 (2011); 366 Український фізичний журнал; Том 56 № 4 (2011); 366 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.4 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022105/2351 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022105/2352 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Kovalyuk, Z.D. Pyrlya, M.M. Boledzyuk, V.B. Shevchik, V.V. Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Kovalyuk, Z.D. Pyrlya, M.M. Boledzyuk, V.B. Shevchik, V.V. |
| author_facet |
Kovalyuk, Z.D. Pyrlya, M.M. Boledzyuk, V.B. Shevchik, V.V. |
| author_sort |
Kovalyuk, Z.D. |
| title |
Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe |
| title_short |
Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe |
| title_full |
Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe |
| title_fullStr |
Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe |
| title_full_unstemmed |
Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe |
| title_sort |
барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників inse та gase |
| title_alt |
Pressure and Strain Sensitivity of InSe and GaSe Layered Semiconductors |
| description |
Одержано експериментальні результати по дослідженню баричної чутливості шаруватих напівпровідникових кристалів InSe, GaSe та їх металевих інтеркалятів. Результати вимірювань дозволили визначити коефіцієнт баричної (динамічної) чутливості для даних сполук. Високі значення коефіцієнта баричної чутливості монокристалів InSe, GaSe та їх інтеркалятів (kP ≈ 10–8–10–7 Па–1) для швидкозмінних тисків відкрили можливість для їх використання у ролі чутливих елементів індикаторів перевантажень (акселерометрів). З проведених вимірювань та розрахунків для структур шаруватий напівпровідник–кремній встановлено, що в області відносних деформацій ~10–5 Па–1 коефіцієнт тензочутливості kT = 1300–1500, в області відносних деформацій ~10–4 Па–1 значення kT = 300. Визначено, що тензочутливість інтеркалятів шаруватих кристалів залежить від ступеня перекриття орбіт атомів інтеркальованої домішки та її концентрації. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022105 |
| work_keys_str_mv |
AT kovalyukzd baričnatatenzočutlivístʹšaruvatihnapívprovídnikívinsetagase AT pyrlyamm baričnatatenzočutlivístʹšaruvatihnapívprovídnikívinsetagase AT boledzyukvb baričnatatenzočutlivístʹšaruvatihnapívprovídnikívinsetagase AT shevchikvv baričnatatenzočutlivístʹšaruvatihnapívprovídnikívinsetagase AT kovalyukzd pressureandstrainsensitivityofinseandgaselayeredsemiconductors AT pyrlyamm pressureandstrainsensitivityofinseandgaselayeredsemiconductors AT boledzyukvb pressureandstrainsensitivityofinseandgaselayeredsemiconductors AT shevchikvv pressureandstrainsensitivityofinseandgaselayeredsemiconductors |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:34Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:34Z |
| _version_ |
1795757756043493376 |