Buchumschlag

Електричні властивості інтеркальованих шаруватих кристалів In2Se3

The anisotropy and the electrical properties of In2Se3 layered crystals and their lithium and hydrogen intercalates are studied in the temperature range 80–400 K. It is established that, with increase in the temperature, the electrical conduction and the mobility along layers decrease, whereas the f...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2022
Hauptverfasser:	Boledzyuk, V.B., Zaslonkin, A.V., Kovalyuk, Z.D., Pyrlya, M.M.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch Englisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Schlagworte:	-
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022107
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Самоорганізація магнітних наноструктур на поверхні шарів шаруватих кристалів In₂Se₃, інтеркальованих кобальтом
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Наноструктурні дослідження поверхонь (100) кристалів In₄Se₃, інтеркальованих сріблом
von: Галій, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)

Optical properties of GaSe semiconducting crystals intercalated by CdTe nanoparticles
von: Khalavk, Y.B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
von: Pashayev, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію
von: Балицький, О.О.
Veröffentlicht: (2010)

Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
von: Kaminskii, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Structure and electrical properties of In₂Se₃Mn layered crystals
von: Kaminskii, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
von: Воробець, М.О.
Veröffentlicht: (2008)

Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
von: Zaslonkin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
von: Boledzyuk, V.B., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4
von: Myronchuk, G.L., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
von: Кудринський, З.Р.
Veröffentlicht: (2013)

Електричні властивості іонпровідних епоксинеорганічних полімерів
von: Мамуня, Є.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Оптичні властивості катіон-заміщених змішаних кристалів (Cu1 – xAgx)7GeSe5I
von: Pop, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Характеристика наноструктурованих включень In6Se7 у шаруватих кристалах α-In2Se3 аналітичними методами рентгенівської дифрактометрії
von: Drapak, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Електричні властивості структур In/p-PbTe
von: Маланич, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Електричні властивості двошарових плівок окислів металів
von: Новіков, В.О.
Veröffentlicht: (2000)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Спектри рентгенівського і фотолюмінесценції високоомних кристалів ZnSe
von: Alizadeh, M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Fine structure of NQR spectra in GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Виготовлення, електричні та оптичні властивості твердих розчинів Cu1-xZnxInSe2 (x = 0,05 – 0,2)
von: Божко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
von: Kushnir, B.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Концентраційна залежність параметрів спектра ЯКР 127І змішаних напівпровідникових шаруватих кристалів (BiI3)1-x(PbI2)x
von: Barabash, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
von: Orletskyi, I. G., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Morphology of Van der Waals surfaces and magnetic hysteresis in cobalt intercalated InTe
von: Boledzyuk, V.B., et al.
Veröffentlicht: (2015)