Cover Image

Електричні властивості інтеркальованих шаруватих кристалів In2Se3

The anisotropy and the electrical properties of In2Se3 layered crystals and their lithium and hydrogen intercalates are studied in the temperature range 80–400 K. It is established that, with increase in the temperature, the electrical conduction and the mobility along layers decrease, whereas the f...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2022
Main Authors:	Boledzyuk, V.B., Zaslonkin, A.V., Kovalyuk, Z.D., Pyrlya, M.M.
Format:	Article
Language:	Ukrainian English
Published:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Subjects:	-
Online Access:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022107
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Similar Items

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2022)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
by: Boledzyuk, V. B., et al.
Published: (2018)

Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
by: Боледзюк, В.Б., et al.
Published: (2015)

Самоорганізація магнітних наноструктур на поверхні шарів шаруватих кристалів In₂Se₃, інтеркальованих кобальтом
by: Бахтінов, А.П., et al.
Published: (2013)

Наноструктурні дослідження поверхонь (100) кристалів In₄Se₃, інтеркальованих сріблом
by: Галій, П.В., et al.
Published: (2013)

Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
by: Боледзюк, В.Б., et al.
Published: (2014)

Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2016)

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
by: Galiy, P. V.
Published: (2014)

Optical properties of GaSe semiconducting crystals intercalated by CdTe nanoparticles
by: Khalavk, Y.B., et al.
Published: (2009)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
by: Pashayev, A. M., et al.
Published: (2011)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
by: Zhirko, Yu.I., et al.
Published: (2004)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
by: V. B. Boledzyuk, et al.
Published: (2013)

Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію
by: Балицький, О.О.
Published: (2010)

Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
by: Kaminskii, V.I., et al.
Published: (2007)

Structure and electrical properties of In₂Se₃Mn layered crystals
by: Kaminskii, V.M., et al.
Published: (2009)

Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
by: Воробець, М.О.
Published: (2008)

Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
by: Zaslonkin, A.V., et al.
Published: (2008)

Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
by: Boledzyuk, V.B., et al.
Published: (2016)

Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4
by: Myronchuk, G.L., et al.
Published: (2021)

Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
by: Кудринський, З.Р.
Published: (2013)

Електричні властивості іонпровідних епоксинеорганічних полімерів
by: Мамуня, Є.П., et al.
Published: (2013)

Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
by: Бахтінов, А.П., et al.
Published: (2017)

Оптичні властивості катіон-заміщених змішаних кристалів (Cu1 – xAgx)7GeSe5I
by: Pop, M.M., et al.
Published: (2021)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2004)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2012)

Характеристика наноструктурованих включень In6Se7 у шаруватих кристалах α-In2Se3 аналітичними методами рентгенівської дифрактометрії
by: Drapak, S.I., et al.
Published: (2022)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018)

Електричні властивості структур In/p-PbTe
by: Маланич, Г.П., et al.
Published: (2012)

Електричні властивості двошарових плівок окислів металів
by: Новіков, В.О.
Published: (2000)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
by: Katerynchuk, V.M., et al.
Published: (2011)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2003)

Спектри рентгенівського і фотолюмінесценції високоомних кристалів ZnSe
by: Alizadeh, M., et al.
Published: (2018)

Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2012)

Fine structure of NQR spectra in GaSe
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2009)

Виготовлення, електричні та оптичні властивості твердих розчинів Cu1-xZnxInSe2 (x = 0,05 – 0,2)
by: Божко, В.В., et al.
Published: (2010)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
by: Kushnir, B.V., et al.
Published: (2017)

Концентраційна залежність параметрів спектра ЯКР 127І змішаних напівпровідникових шаруватих кристалів (BiI3)1-x(PbI2)x
by: Barabash, A.I., et al.
Published: (2022)

Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
by: Orletskyi, I. G., et al.
Published: (2019)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2007)

Morphology of Van der Waals surfaces and magnetic hysteresis in cobalt intercalated InTe
by: Boledzyuk, V.B., et al.
Published: (2015)