Поверхнева фото-ерс структур Au−C60−Si
The methods of surface photovoltage, photoluminescence, AFM, and FTIR are applied to studying the Au–C60–Si structure. The surface photovoltage kinetics was also investigated. It is shown that the photoluminescence and the surface photovoltage in the range 1.3–1.8 eV are caused by optical transition...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | Kozachenko, V.V., Kondratenko, S.V., Melnichuk, Ye.Ye., Datsenko, O.I., Tsibrii, Z.F. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022122 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005) -
Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Melnichuk, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2014) -
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015) -
Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс
за авторством: Litovchenko, V. G.
Опубліковано: (2019) -
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)