Поверхнева фото-ерс структур Au−C60−Si
У роботі методами спектроскопії поверхневої фото-ерс, фото-люмінесценції, AFM та FTIR досліджено структуру Au–C60–Si. Досліджено також кінетику поверхневої фото-ерс. Показано, що фотолюмінесценція та поверхнева фото-ерс в інтервалі 1,3–1,8 еВ зумовлені оптичними переходами за участі синглетних та тр...
Збережено в:
Дата: | 2022 |
---|---|
Автори: | Kozachenko, V.V., Kondratenko, S.V., Melnichuk, Ye.Ye., Datsenko, O.I., Tsibrii, Z.F. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022122 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005) -
Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Melnichuk, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2014) -
Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс
за авторством: Litovchenko, V. G.
Опубліковано: (2019) -
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015) -
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)