Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe

• Дата: 2022
• Автори: Stakhira, J.M., Fl’unt, O.Ye., Fiyala, Ya.M.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian; English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2022
• Теми: -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022123
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Проведено дослідження низькочастотної діелектричної проникності високоомних кристалів GaSe на частотах до 100 кГц з використанням блокуючих для носіїв електричного заряду (ізолюючих) контактів. Вимірювання проводили при прикладанні до зразка невеликого одновісного тиску в межах до 2,4 · 105 Па вздовж осі c, нормальної до площини шарів кристала. Встановлено, що діелектричний спектр високоомних кристалів GaSe з блокуючими електродами підлягаєуніверсальному степеневому закону ~ωn–1, де ω – кутова частота, n ≈ 0,8, який раніше спостерігали на високоомних зразках з контактами з наплавленого індію. Однакова форма діелектричного спектра на кристалах з різними типами контактів (омічними та блокуючими) підтверджує об'ємний характер спостережуваного явища поляризації, яке пов'язується з стрибкоподібним переміщенням квазілокалізованих носіїв електричного заряду. Встановлено, що діелектрична проникність лінійно зростає з величиною прикладеного одновісного тиску з коефіцієнтом Δϵ/(ϵΔp) = 8 · 10–7 Па–1. Спостерігається незначне збільшення показника степеня 1 – n при збільшенні тиску, що приводить до посилення дисперсії діелектричної проникності. Значна залежність низькочастотної діелектричної проникності від одновісного тиску в високоомних кристалах GaSe пов'язується з формуванням утворень диполів, обертання яких еквівалентні стрибкам локалізованих носіїв електричного заряду.