Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe
Проведено дослідження низькочастотної діелектричної проникності високоомних кристалів GaSe на частотах до 100 кГц з використанням блокуючих для носіїв електричного заряду (ізолюючих) контактів. Вимірювання проводили при прикладанні до зразка невеликого одновісного тиску в межах до 2,4 · 105...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022123 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022123 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20221232022-02-15T19:46:56Z Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe Effect of Uniaxial Stress on Low-frequency Dispersion of Dielectric Constant in High-resistivity GaSe Crystals Stakhira, J.M. Fl’unt, O.Ye. Fiyala, Ya.M. - - Проведено дослідження низькочастотної діелектричної проникності високоомних кристалів GaSe на частотах до 100 кГц з використанням блокуючих для носіїв електричного заряду (ізолюючих) контактів. Вимірювання проводили при прикладанні до зразка невеликого одновісного тиску в межах до 2,4 · 105 Па вздовж осі c, нормальної до площини шарів кристала. Встановлено, що діелектричний спектр високоомних кристалів GaSe з блокуючими електродами підлягаєуніверсальному степеневому закону ~ωn–1, де ω – кутова частота, n ≈ 0,8, який раніше спостерігали на високоомних зразках з контактами з наплавленого індію. Однакова форма діелектричного спектра на кристалах з різними типами контактів (омічними та блокуючими) підтверджує об'ємний характер спостережуваного явища поляризації, яке пов'язується з стрибкоподібним переміщенням квазілокалізованих носіїв електричного заряду. Встановлено, що діелектрична проникність лінійно зростає з величиною прикладеного одновісного тиску з коефіцієнтом Δϵ/(ϵΔp) = 8 · 10–7 Па–1. Спостерігається незначне збільшення показника степеня 1 – n при збільшенні тиску, що приводить до посилення дисперсії діелектричної проникності. Значна залежність низькочастотної діелектричної проникності від одновісного тиску в високоомних кристалах GaSe пов'язується з формуванням утворень диполів, обертання яких еквівалентні стрибкам локалізованих носіїв електричного заряду. Low-frequency dielectric spectra of high-resistivity GaSe layered crystals have been studied on the samples clamped between twoinsulating parallel plates at frequencies up to 100 kHz. The measurements have been carried out at different uniaxial stresses up to 2.4 × 105 Pa applied along the c-axis normal to crystal layer's plane. It is revealed that the dielectric spectra of high-resistivity GaSe layered crystals with insulating plates obey a universal power law ~ωn–1, where ω is the angular frequency and n ≈ 0.8, earlier observed on high-resistivity GaSe crystals with indium-soldered contacts. The same type of spectra on the crystals with different types of contacts (insulating and ohmic) confirms the bulk character of the observed polarization caused by hopping charge carriers. It is shown that the frequency-dependent dielectric constant increases linearly with the uniaxial stress characterized bythe coefficient Δϵ/(ϵΔp) = 8 × 10–7 Pa–1. A slight increase of power 1 – n with the stress is observed, that leads to a stronger dielectric dispersion. The strong stress dependence of the low-frequency dielectric constant in high-resistivity GaSe crystals may be referred to the presence of the formations of elementary dipoles, rotations of which correspond to hops of localized charge carriers. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-15 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022123 10.15407/ujpe56.3.267 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 3 (2011); 267 Український фізичний журнал; Том 56 № 3 (2011); 267 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.3 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022123/2377 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022123/2378 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Stakhira, J.M. Fl’unt, O.Ye. Fiyala, Ya.M. Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Stakhira, J.M. Fl’unt, O.Ye. Fiyala, Ya.M. |
| author_facet |
Stakhira, J.M. Fl’unt, O.Ye. Fiyala, Ya.M. |
| author_sort |
Stakhira, J.M. |
| title |
Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe |
| title_short |
Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe |
| title_full |
Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe |
| title_fullStr |
Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe |
| title_full_unstemmed |
Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe |
| title_sort |
вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах gase |
| title_alt |
Effect of Uniaxial Stress on Low-frequency Dispersion of Dielectric Constant in High-resistivity GaSe Crystals |
| description |
Проведено дослідження низькочастотної діелектричної проникності високоомних кристалів GaSe на частотах до 100 кГц з використанням блокуючих для носіїв електричного заряду (ізолюючих) контактів. Вимірювання проводили при прикладанні до зразка невеликого одновісного тиску в межах до 2,4 · 105 Па вздовж осі c, нормальної до площини шарів кристала. Встановлено, що діелектричний спектр високоомних кристалів GaSe з блокуючими електродами підлягаєуніверсальному степеневому закону ~ωn–1, де ω – кутова частота, n ≈ 0,8, який раніше спостерігали на високоомних зразках з контактами з наплавленого індію. Однакова форма діелектричного спектра на кристалах з різними типами контактів (омічними та блокуючими) підтверджує об'ємний характер спостережуваного явища поляризації, яке пов'язується з стрибкоподібним переміщенням квазілокалізованих носіїв електричного заряду. Встановлено, що діелектрична проникність лінійно зростає з величиною прикладеного одновісного тиску з коефіцієнтом Δϵ/(ϵΔp) = 8 · 10–7 Па–1. Спостерігається незначне збільшення показника степеня 1 – n при збільшенні тиску, що приводить до посилення дисперсії діелектричної проникності. Значна залежність низькочастотної діелектричної проникності від одновісного тиску в високоомних кристалах GaSe пов'язується з формуванням утворень диполів, обертання яких еквівалентні стрибкам локалізованих носіїв електричного заряду. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022123 |
| work_keys_str_mv |
AT stakhirajm vplivodnovísnogotiskunanizʹkočastotnudispersíûdíelektričnoíproniknostíuvisokoomnihkristalahgase AT fluntoye vplivodnovísnogotiskunanizʹkočastotnudispersíûdíelektričnoíproniknostíuvisokoomnihkristalahgase AT fiyalayam vplivodnovísnogotiskunanizʹkočastotnudispersíûdíelektričnoíproniknostíuvisokoomnihkristalahgase AT stakhirajm effectofuniaxialstressonlowfrequencydispersionofdielectricconstantinhighresistivitygasecrystals AT fluntoye effectofuniaxialstressonlowfrequencydispersionofdielectricconstantinhighresistivitygasecrystals AT fiyalayam effectofuniaxialstressonlowfrequencydispersionofdielectricconstantinhighresistivitygasecrystals |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:37Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:37Z |
| _version_ |
1795757757541908480 |