Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини
The thickness dependences of the photocurrent quantum yield and photoenergy parameters of silicon backside contact solar cells (BC SC) are investigated theoretically and experimentally. The surface recombination rate on the irradiated surface was minimized by means of creating the layers of micropor...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022141 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131465785540608 |
|---|---|
| author | Gorban, A.P. Kostylyov, V.P. Sachenko, A.V. Serba, O.A. Sokolovskyi, I.O. Chernenko, V.V. |
| author_facet | Gorban, A.P. Kostylyov, V.P. Sachenko, A.V. Serba, O.A. Sokolovskyi, I.O. Chernenko, V.V. |
| author_sort | Gorban, A.P. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-02-16T20:05:33Z |
| description | The thickness dependences of the photocurrent quantum yield and photoenergy parameters of silicon backside contact solar cells (BC SC) are investigated theoretically and experimentally. The surface recombination rate on the irradiated surface was minimized by means of creating the layers of microporous silicon. A method of finding the surface recombination rate and the diffusion length of minority carriers from the thickness dependences of the photocurrent quantum yield under conditions of the strong absorption is proposed. The performed studies allowed us to establish that the thinning of the BC SC samples in the case of minimizing the surface recombination rate gives a possibility to achieve rather high efficiencies of photoconversion. It is also shown that the agreement between the experimental and theoretical spectral dependences of the photocurrent quantum yield can be reached only with regard for the coefficient of light reflection from the backside surface. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe56.2.161 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:18:33Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2022141 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:18:33Z |
| publishDate | 2022 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20221412022-02-16T20:05:33Z Thickness Dependences of Photoelectric Characteristics of Silicon Backside Contact Solar Cells Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини Gorban, A.P. Kostylyov, V.P. Sachenko, A.V. Serba, O.A. Sokolovskyi, I.O. Chernenko, V.V. - - The thickness dependences of the photocurrent quantum yield and photoenergy parameters of silicon backside contact solar cells (BC SC) are investigated theoretically and experimentally. The surface recombination rate on the irradiated surface was minimized by means of creating the layers of microporous silicon. A method of finding the surface recombination rate and the diffusion length of minority carriers from the thickness dependences of the photocurrent quantum yield under conditions of the strong absorption is proposed. The performed studies allowed us to establish that the thinning of the BC SC samples in the case of minimizing the surface recombination rate gives a possibility to achieve rather high efficiencies of photoconversion. It is also shown that the agreement between the experimental and theoretical spectral dependences of the photocurrent quantum yield can be reached only with regard for the coefficient of light reflection from the backside surface. Експериментально та теоретично досліджено товщинні залежності квантового виходу фотоструму та фотоенергетичних параметрів кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією (СЕТМ). Мінімізацію швидкості поверхневої рекомбінації (ШПР) на освітленій поверхні в них досягнуто за рахунок створення шарів мікропористого кремнію. Запропоновано метод знаходження ШПР та довжини дифузії неосновних носіїв заряду з товщинних залежностей квантового виходу фотоструму в умовах сильного поглинання світла. Виконані дослідження дозволили встановити, що потоншення зразків СЕТМ за умовимінімізації ШПР дозволяє реалізувати достатньо великі значення ефективності фотоперетворення. Показано також, що узгодження експериментальних спектральних залежностей квантового виходу фотоструму в досліджених СЕТМ з теоретичними може бути досягнуте лише за умови врахування коефіцієнта відбиття світла від тилової поверхні. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-16 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022141 10.15407/ujpe56.2.161 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 2 (2011); 161 Український фізичний журнал; Том 56 № 2 (2011); 161 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.2 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022141/2401 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022141/2402 |
| spellingShingle | - Gorban, A.P. Kostylyov, V.P. Sachenko, A.V. Serba, O.A. Sokolovskyi, I.O. Chernenko, V.V. Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини |
| title | Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини |
| title_alt | Thickness Dependences of Photoelectric Characteristics of Silicon Backside Contact Solar Cells |
| title_full | Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини |
| title_fullStr | Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини |
| title_full_unstemmed | Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини |
| title_short | Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини |
| title_sort | залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини |
| topic | - |
| topic_facet | - - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022141 |
| work_keys_str_mv | AT gorbanap thicknessdependencesofphotoelectriccharacteristicsofsiliconbacksidecontactsolarcells AT kostylyovvp thicknessdependencesofphotoelectriccharacteristicsofsiliconbacksidecontactsolarcells AT sachenkoav thicknessdependencesofphotoelectriccharacteristicsofsiliconbacksidecontactsolarcells AT serbaoa thicknessdependencesofphotoelectriccharacteristicsofsiliconbacksidecontactsolarcells AT sokolovskyiio thicknessdependencesofphotoelectriccharacteristicsofsiliconbacksidecontactsolarcells AT chernenkovv thicknessdependencesofphotoelectriccharacteristicsofsiliconbacksidecontactsolarcells AT gorbanap zaležnostífotoelektričnihharakteristikkremníêvihsonâčnihelementívztilovoûmetalízacíêûvídtovŝini AT kostylyovvp zaležnostífotoelektričnihharakteristikkremníêvihsonâčnihelementívztilovoûmetalízacíêûvídtovŝini AT sachenkoav zaležnostífotoelektričnihharakteristikkremníêvihsonâčnihelementívztilovoûmetalízacíêûvídtovŝini AT serbaoa zaležnostífotoelektričnihharakteristikkremníêvihsonâčnihelementívztilovoûmetalízacíêûvídtovŝini AT sokolovskyiio zaležnostífotoelektričnihharakteristikkremníêvihsonâčnihelementívztilovoûmetalízacíêûvídtovŝini AT chernenkovv zaležnostífotoelektričnihharakteristikkremníêvihsonâčnihelementívztilovoûmetalízacíêûvídtovŝini |