Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони
It has been theoretically predicted and experimentally proved that the deformation of thin graphite-like carbon films is accompanied by the appearance of an energy gap at the $K$-point, the gap being proportional to a strain. A metal–semiconductor phase transition in a thin graphite (or multilayered...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022143 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022143 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20221432022-02-16T20:10:28Z Modified Graphene-like Films as a New Class of Semiconductors with a Variable Energy Gap Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони Lytovchenko, V.G. Strikha, M.V. Klyui, M.I. - - It has been theoretically predicted and experimentally proved that the deformation of thin graphite-like carbon films is accompanied by the appearance of an energy gap at the $K$-point, the gap being proportional to a strain. A metal–semiconductor phase transition in a thin graphite (or multilayered graphene) film has been revealed. This phenomenon can be promising for the development of semiconducting materials. Теоретично передбачено й експериментально доведено, що в деформованих плівках тонкого графітоподібного вуглецю в К-точці з'являється заборонена зона, пропорційна до міри дефектності плівки. Виявлений фазовий перехід метал–напівпровідник у тонкій графітовій~(або багатошаровій графеновій) плівці може виявитися перспективним в інженерії напівпровідникових матеріалів. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-16 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022143 10.15407/ujpe56.2.175 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 2 (2011); 175 Український фізичний журнал; Том 56 № 2 (2011); 175 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.2 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022143/2405 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022143/2406 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2022-02-16T20:10:28Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- |
| spellingShingle |
- Lytovchenko, V.G. Strikha, M.V. Klyui, M.I. Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Lytovchenko, V.G. Strikha, M.V. Klyui, M.I. |
| author_facet |
Lytovchenko, V.G. Strikha, M.V. Klyui, M.I. |
| author_sort |
Lytovchenko, V.G. |
| title |
Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
| title_short |
Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
| title_full |
Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
| title_fullStr |
Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
| title_full_unstemmed |
Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
| title_sort |
модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
| title_alt |
Modified Graphene-like Films as a New Class of Semiconductors with a Variable Energy Gap |
| description |
It has been theoretically predicted and experimentally proved that the deformation of thin graphite-like carbon films is accompanied by the appearance of an energy gap at the $K$-point, the gap being proportional to a strain. A metal–semiconductor phase transition in a thin graphite (or multilayered graphene) film has been revealed. This phenomenon can be promising for the development of semiconducting materials. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022143 |
| work_keys_str_mv |
AT lytovchenkovg modifiedgraphenelikefilmsasanewclassofsemiconductorswithavariableenergygap AT strikhamv modifiedgraphenelikefilmsasanewclassofsemiconductorswithavariableenergygap AT klyuimi modifiedgraphenelikefilmsasanewclassofsemiconductorswithavariableenergygap AT lytovchenkovg modifíkovanígrafenopodíbníplívkiâknovijklasnapívprovídnikívzízmínnoûširinoûzaboronenoízoni AT strikhamv modifíkovanígrafenopodíbníplívkiâknovijklasnapívprovídnikívzízmínnoûširinoûzaboronenoízoni AT klyuimi modifíkovanígrafenopodíbníplívkiâknovijklasnapívprovídnikívzízmínnoûširinoûzaboronenoízoni |
| first_indexed |
2025-10-02T01:18:34Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:18:34Z |
| _version_ |
1851765364330856448 |