Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони
It has been theoretically predicted and experimentally proved that the deformation of thin graphite-like carbon films is accompanied by the appearance of an energy gap at the $K$-point, the gap being proportional to a strain. A metal–semiconductor phase transition in a thin graphite (or multilayered...
Збережено в:
Дата: | 2022 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022143 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physicsid |
ujp2-article-2022143 |
---|---|
record_format |
ojs |
spelling |
ujp2-article-20221432022-02-16T19:25:48Z Modified Graphene-like Films as a New Class of Semiconductors with a Variable Energy Gap Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони Lytovchenko, V.G. Strikha, M.V. Klyui, M.I. - - It has been theoretically predicted and experimentally proved that the deformation of thin graphite-like carbon films is accompanied by the appearance of an energy gap at the $K$-point, the gap being proportional to a strain. A metal–semiconductor phase transition in a thin graphite (or multilayered graphene) film has been revealed. This phenomenon can be promising for the development of semiconducting materials. Теоретично передбачено й експериментально доведено, що в деформованих плівках тонкого графітоподібного вуглецю в К-точці з'являється заборонена зона, пропорційна до міри дефектності плівки. Виявлений фазовий перехід метал–напівпровідник у тонкій графітовій~(або багатошаровій графеновій) плівці може виявитися перспективним в інженерії напівпровідникових матеріалів. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-16 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022143 10.15407/ujpe56.2.175 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 2 (2011); 175 Український фізичний журнал; Том 56 № 2 (2011); 175 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.2 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022143/2405 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022143/2406 |
institution |
Ukrainian Journal of Physics |
collection |
OJS |
language |
Ukrainian English |
topic |
- - |
spellingShingle |
- - Lytovchenko, V.G. Strikha, M.V. Klyui, M.I. Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
topic_facet |
- - |
format |
Article |
author |
Lytovchenko, V.G. Strikha, M.V. Klyui, M.I. |
author_facet |
Lytovchenko, V.G. Strikha, M.V. Klyui, M.I. |
author_sort |
Lytovchenko, V.G. |
title |
Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
title_short |
Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
title_full |
Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
title_fullStr |
Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
title_full_unstemmed |
Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
title_sort |
модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони |
title_alt |
Modified Graphene-like Films as a New Class of Semiconductors with a Variable Energy Gap |
description |
It has been theoretically predicted and experimentally proved that the deformation of thin graphite-like carbon films is accompanied by the appearance of an energy gap at the $K$-point, the gap being proportional to a strain. A metal–semiconductor phase transition in a thin graphite (or multilayered graphene) film has been revealed. This phenomenon can be promising for the development of semiconducting materials. |
publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
publishDate |
2022 |
url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022143 |
work_keys_str_mv |
AT lytovchenkovg modifiedgraphenelikefilmsasanewclassofsemiconductorswithavariableenergygap AT strikhamv modifiedgraphenelikefilmsasanewclassofsemiconductorswithavariableenergygap AT klyuimi modifiedgraphenelikefilmsasanewclassofsemiconductorswithavariableenergygap AT lytovchenkovg modifíkovanígrafenopodíbníplívkiâknovijklasnapívprovídnikívzízmínnoûširinoûzaboronenoízoni AT strikhamv modifíkovanígrafenopodíbníplívkiâknovijklasnapívprovídnikívzízmínnoûširinoûzaboronenoízoni AT klyuimi modifíkovanígrafenopodíbníplívkiâknovijklasnapívprovídnikívzízmínnoûširinoûzaboronenoízoni |
first_indexed |
2023-03-24T09:00:41Z |
last_indexed |
2023-03-24T09:00:41Z |
_version_ |
1795757759353847808 |