Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію
Physical and mathematical models of the radiation-induced ordering of a defect structure in silicon crystals are proposed. Thesemodels involve an increase of the diffusion coefficient of interstitial silicon in the irradiation field and a reduction of the defect lifetime at irradiation doses below 2...
Saved in:
| Date: | 2022 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022155 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022155 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20221552022-02-17T19:40:27Z Radiation-induced Rearrangement of Defects in Silicon Crystals Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію Pavlyk, B.V. Lys, R.M. Hrypa, A.S. Slobodzyan, D.P. Khvyshchun, I.O. Shykoryak, I.A. Didyk, R.I. - - Physical and mathematical models of the radiation-induced ordering of a defect structure in silicon crystals are proposed. Thesemodels involve an increase of the diffusion coefficient of interstitial silicon in the irradiation field and a reduction of the defect lifetime at irradiation doses below 260 Gy. Free surfaces of crystals, phase interfaces, and dislocations are considered to be effective defect sinks. Запропоновано фізичну та математичну моделі процесу радіаційно-стимульованого впорядкування дефектної структурикристалів кремнію. У даній моделі враховано збільшення коефіцієнта дифузії міжвузловинного кремнію в полі дії радіації, зменшення часу життя дефектів при дозах опромінення до 260 Гр. Ефективними стоками дефектів вважали вільні поверхні кристалів, межі поділу фаз, дислокації. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-17 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022155 10.15407/ujpe56.1.64 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 1 (2011); 64 Український фізичний журнал; Том 56 № 1 (2011); 64 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.1 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022155/2418 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022155/2419 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2022-02-17T19:40:27Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- |
| spellingShingle |
- Pavlyk, B.V. Lys, R.M. Hrypa, A.S. Slobodzyan, D.P. Khvyshchun, I.O. Shykoryak, I.A. Didyk, R.I. Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Pavlyk, B.V. Lys, R.M. Hrypa, A.S. Slobodzyan, D.P. Khvyshchun, I.O. Shykoryak, I.A. Didyk, R.I. |
| author_facet |
Pavlyk, B.V. Lys, R.M. Hrypa, A.S. Slobodzyan, D.P. Khvyshchun, I.O. Shykoryak, I.A. Didyk, R.I. |
| author_sort |
Pavlyk, B.V. |
| title |
Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію |
| title_short |
Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію |
| title_full |
Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію |
| title_fullStr |
Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію |
| title_full_unstemmed |
Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію |
| title_sort |
радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію |
| title_alt |
Radiation-induced Rearrangement of Defects in Silicon Crystals |
| description |
Physical and mathematical models of the radiation-induced ordering of a defect structure in silicon crystals are proposed. Thesemodels involve an increase of the diffusion coefficient of interstitial silicon in the irradiation field and a reduction of the defect lifetime at irradiation doses below 260 Gy. Free surfaces of crystals, phase interfaces, and dislocations are considered to be effective defect sinks. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022155 |
| work_keys_str_mv |
AT pavlykbv radiationinducedrearrangementofdefectsinsiliconcrystals AT lysrm radiationinducedrearrangementofdefectsinsiliconcrystals AT hrypaas radiationinducedrearrangementofdefectsinsiliconcrystals AT slobodzyandp radiationinducedrearrangementofdefectsinsiliconcrystals AT khvyshchunio radiationinducedrearrangementofdefectsinsiliconcrystals AT shykoryakia radiationinducedrearrangementofdefectsinsiliconcrystals AT didykri radiationinducedrearrangementofdefectsinsiliconcrystals AT pavlykbv radíacíjnostimulʹovanaperebudovadefektívukristalahkremníû AT lysrm radíacíjnostimulʹovanaperebudovadefektívukristalahkremníû AT hrypaas radíacíjnostimulʹovanaperebudovadefektívukristalahkremníû AT slobodzyandp radíacíjnostimulʹovanaperebudovadefektívukristalahkremníû AT khvyshchunio radíacíjnostimulʹovanaperebudovadefektívukristalahkremníû AT shykoryakia radíacíjnostimulʹovanaperebudovadefektívukristalahkremníû AT didykri radíacíjnostimulʹovanaperebudovadefektívukristalahkremníû |
| first_indexed |
2025-10-02T01:18:35Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:18:35Z |
| _version_ |
1851765364314079232 |