Вплив тиску на електронний спектр галогенідів індію і талію
На основі самоузгоджених розрахунків методом псевдопотенціалу проведено теоретичне вивчення структурних і електронних властивостей кристалів галогенідів індію і талію у широкому діапазоні змінизовнішнього тиску. Підтверджено визначальну роль надлишкової ns2-електронної пари катіона у формуванні стру...
Gespeichert in:
| Datum: | 2025 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2025
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022241 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| Zusammenfassung: | На основі самоузгоджених розрахунків методом псевдопотенціалу проведено теоретичне вивчення структурних і електронних властивостей кристалів галогенідів індію і талію у широкому діапазоні змінизовнішнього тиску. Підтверджено визначальну роль надлишкової ns2-електронної пари катіона у формуванні структури та стабілізації сполук, що містять катіони зі зниженою валентністю. Визначено значення граничних тисків фазових переходів у високосиметричний структурний тип CsCl і переходівнапівпровідник–метал. Встановлено послідовність структурних фазових переходів у кристалах InCl. |
|---|