Вплив тиску на електронний спектр галогенідів індію і талію
На основі самоузгоджених розрахунків методом псевдопотенціалу проведено теоретичне вивчення структурних і електронних властивостей кристалів галогенідів індію і талію у широкому діапазоні змінизовнішнього тиску. Підтверджено визначальну роль надлишкової ns2-електронної пари катіона у формуванні стру...
Збережено в:
| Дата: | 2025 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2025
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022241 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| Резюме: | На основі самоузгоджених розрахунків методом псевдопотенціалу проведено теоретичне вивчення структурних і електронних властивостей кристалів галогенідів індію і талію у широкому діапазоні змінизовнішнього тиску. Підтверджено визначальну роль надлишкової ns2-електронної пари катіона у формуванні структури та стабілізації сполук, що містять катіони зі зниженою валентністю. Визначено значення граничних тисків фазових переходів у високосиметричний структурний тип CsCl і переходівнапівпровідник–метал. Встановлено послідовність структурних фазових переходів у кристалах InCl. |
|---|