Концентраційні залежності діелектричних параметрів домішкових кристалів K2SO4

Дослiджено вплив концентрацiї домiшки мiдi на параметри елементарної комiрки, зонно-енергетичну структуру та рефрактивнi характеритики кристалiв сульфату калiю. Встановлено, що параметри та об’єм елементарної комiрки домiшкових кристалiв майже лiнiйно зростають зi збiльшенням концентрацiї домiшки по...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2022
Автори: Stadnyk, V.Yo., Shchepanskyi, P.A., Rudysh, M.Ya., Matviiv, R.B., Brezvin, R.S.
Формат: Стаття
Мова:English
Ukrainian
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2022
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022242
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2022242
record_format ojs
spelling ujp2-article-20222422022-07-06T09:29:30Z Концентраційні залежності діелектричних параметрів домішкових кристалів K2SO4 Concentration Dependences of Dielectric Parameters of Impurity-Doped K2SO4 Crystals Stadnyk, V.Yo. Shchepanskyi, P.A. Rudysh, M.Ya. Matviiv, R.B. Brezvin, R.S. кристал домiшка показник заломлення двопроменезаломлення елементарна комiрка зонно-енергетична структура заборонена зона crystal impurity refractive index birefringence unit cell energy band structure forbidden gap Дослiджено вплив концентрацiї домiшки мiдi на параметри елементарної комiрки, зонно-енергетичну структуру та рефрактивнi характеритики кристалiв сульфату калiю. Встановлено, що параметри та об’єм елементарної комiрки домiшкових кристалiв майже лiнiйно зростають зi збiльшенням концентрацiї домiшки порiвняно з чистим кристалом, тодi як показники заломлення ni домiшкових кристалiв дещо зменшуються (∼2,5 · 10−3), однак спiввiдношення мiж ними (nz > nx > ny та dnz /dλ > dnx/dλ > dny /dλ ) залишаються незмiнними. Розраховано зонно-енергетичну структуру кристалiв з 1,7% вмiстом мiдi та виявлено, що зi зростанням концентрацiї ширина забороненої зони зменшується. Виявлено п’ять локалiзованих рiвнiв у забороненiй зонi, що вiдповiдають d-електронним станам домiшкових iонiв Cu2+. Встановлено, що вершина валентної зони утворена p-станами кисню, а дно зони провiдностi – 3s- та 4s-станами атомiв сiрки i калiю. Бiля дна зони провiдностi розташованi локалiзованi 4s-стани атома мiдi. Проаналiзовано змiни параметрiв елементарної комiрки, показника заломлення та двопроменезаломлення, ширини забороненої зони, густини кристалiв iз змiною концентрацiї домiшки мiдi у матрицi кристала сульфату калiю, а також отримано вiдповiднi концентрацiйнi залежностi. The influence of a copper impurity with various concentrations on the unit cell parameters, band-energy structure, and refractive characteristics of potassium sulfate crystals has been studied. The unit-cell parameters and volume of impurity-doped crystals are found to increase almost linearly with the growth of the impurity content. At the same time, the refractive indices ni (i = x, y, z) of doped crystals slightly decrease (by about 2.5 × 10−3), but the relations nz > nx > ny and dnz /dλ > dnx/dλ > dny /dλ between them remain unchanged. The energy band structure of crystals with a copper content of 1.7% is calculated. It is found that the forbidden gap decreases, as the impurity concentration increases. Five localized levels corresponding to d-electron states of Cu2+ impurity ions are identified in the band gap. It is established that the top of the valence band is formed by the oxygen p-states, and the bottom of the conduction band by the 3s- and 4s-states of the sulfur and potassium atoms. The localized 4s-states of copper atoms are located at the bottom of the conduction band. The concentration dependences of the density and ionic radius are analyzed. Publishing house "Academperiodika" 2022-07-06 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022242 10.15407/ujpe67.4.284 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 67 No. 4 (2022); 284 Український фізичний журнал; Том 67 № 4 (2022); 284 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe67.4 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022242/2841 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022242/2842 Copyright (c) 2022 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language English
Ukrainian
topic кристал
домiшка
показник заломлення
двопроменезаломлення
елементарна комiрка
зонно-енергетична структура
заборонена зона
crystal
impurity
refractive index
birefringence
unit cell
energy band structure
forbidden gap
spellingShingle кристал
домiшка
показник заломлення
двопроменезаломлення
елементарна комiрка
зонно-енергетична структура
заборонена зона
crystal
impurity
refractive index
birefringence
unit cell
energy band structure
forbidden gap
Stadnyk, V.Yo.
Shchepanskyi, P.A.
Rudysh, M.Ya.
Matviiv, R.B.
Brezvin, R.S.
Концентраційні залежності діелектричних параметрів домішкових кристалів K2SO4
topic_facet кристал
домiшка
показник заломлення
двопроменезаломлення
елементарна комiрка
зонно-енергетична структура
заборонена зона
crystal
impurity
refractive index
birefringence
unit cell
energy band structure
forbidden gap
format Article
author Stadnyk, V.Yo.
Shchepanskyi, P.A.
Rudysh, M.Ya.
Matviiv, R.B.
Brezvin, R.S.
author_facet Stadnyk, V.Yo.
Shchepanskyi, P.A.
Rudysh, M.Ya.
Matviiv, R.B.
Brezvin, R.S.
author_sort Stadnyk, V.Yo.
title Концентраційні залежності діелектричних параметрів домішкових кристалів K2SO4
title_short Концентраційні залежності діелектричних параметрів домішкових кристалів K2SO4
title_full Концентраційні залежності діелектричних параметрів домішкових кристалів K2SO4
title_fullStr Концентраційні залежності діелектричних параметрів домішкових кристалів K2SO4
title_full_unstemmed Концентраційні залежності діелектричних параметрів домішкових кристалів K2SO4
title_sort концентраційні залежності діелектричних параметрів домішкових кристалів k2so4
title_alt Concentration Dependences of Dielectric Parameters of Impurity-Doped K2SO4 Crystals
description Дослiджено вплив концентрацiї домiшки мiдi на параметри елементарної комiрки, зонно-енергетичну структуру та рефрактивнi характеритики кристалiв сульфату калiю. Встановлено, що параметри та об’єм елементарної комiрки домiшкових кристалiв майже лiнiйно зростають зi збiльшенням концентрацiї домiшки порiвняно з чистим кристалом, тодi як показники заломлення ni домiшкових кристалiв дещо зменшуються (∼2,5 · 10−3), однак спiввiдношення мiж ними (nz > nx > ny та dnz /dλ > dnx/dλ > dny /dλ ) залишаються незмiнними. Розраховано зонно-енергетичну структуру кристалiв з 1,7% вмiстом мiдi та виявлено, що зi зростанням концентрацiї ширина забороненої зони зменшується. Виявлено п’ять локалiзованих рiвнiв у забороненiй зонi, що вiдповiдають d-електронним станам домiшкових iонiв Cu2+. Встановлено, що вершина валентної зони утворена p-станами кисню, а дно зони провiдностi – 3s- та 4s-станами атомiв сiрки i калiю. Бiля дна зони провiдностi розташованi локалiзованi 4s-стани атома мiдi. Проаналiзовано змiни параметрiв елементарної комiрки, показника заломлення та двопроменезаломлення, ширини забороненої зони, густини кристалiв iз змiною концентрацiї домiшки мiдi у матрицi кристала сульфату калiю, а також отримано вiдповiднi концентрацiйнi залежностi.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2022
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022242
work_keys_str_mv AT stadnykvyo koncentracíjnízaležnostídíelektričnihparametrívdomíškovihkristalívk2so4
AT shchepanskyipa koncentracíjnízaležnostídíelektričnihparametrívdomíškovihkristalívk2so4
AT rudyshmya koncentracíjnízaležnostídíelektričnihparametrívdomíškovihkristalívk2so4
AT matviivrb koncentracíjnízaležnostídíelektričnihparametrívdomíškovihkristalívk2so4
AT brezvinrs koncentracíjnízaležnostídíelektričnihparametrívdomíškovihkristalívk2so4
AT stadnykvyo concentrationdependencesofdielectricparametersofimpuritydopedk2so4crystals
AT shchepanskyipa concentrationdependencesofdielectricparametersofimpuritydopedk2so4crystals
AT rudyshmya concentrationdependencesofdielectricparametersofimpuritydopedk2so4crystals
AT matviivrb concentrationdependencesofdielectricparametersofimpuritydopedk2so4crystals
AT brezvinrs concentrationdependencesofdielectricparametersofimpuritydopedk2so4crystals
first_indexed 2023-03-24T09:00:46Z
last_indexed 2023-03-24T09:00:46Z
_version_ 1795757761603043328