Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb
A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, electrokinetic, energy, and magnetic properties of the semiconductive solid solution Lu1-xScxNiSb, x = 0 – 0.10, revealed the possibility of doping Sc atoms of different crystallographic sites depending on their concentra...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022450 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022450 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20224502022-08-29T14:00:14Z Features of Mechanisms of Electrical Conductivity in Semiconductive Solid Solution Lu1 – xScxNiSb Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Y.V. Romaka, L.P. Demchenko, P.Y. Pashkevych, V.Z. Horyn, A.M. електропровiднiсть коефiцiєнт термо-е.р.с. рiвень Фермi напiвпровiдник electrical conductivity thermopower coefficient Fermi level semiconductor A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, electrokinetic, energy, and magnetic properties of the semiconductive solid solution Lu1-xScxNiSb, x = 0 – 0.10, revealed the possibility of doping Sc atoms of different crystallographic sites depending on their concentration. This leads to the generation of structural defects of donor and/or acceptor nature and the appearance of the corresponding energy levels (bands) in the band gap єg. The ratio of ionized donors and acceptors (degree of compensation) determines the position of the Fermi level єF in Lu1-xScxNiSb. The dependence of the rate of generation of energy levels and the position of the Fermi level єF on the impurity concentration Sc, which determines the mechanism of electrical conductivity of Lu1-xScxNiSb, is established. The investigated Lu1-xScxNiSb solid solution is a promising thermoelectric material. Комплексне дослiдження кристалiчної та електронної структур, термодинамiчних, кiнетичних, енергетичних та магнiтних властивостей напiвпровiдникового твердого розчину Lu1-xScxNiSb, x = 0–0,10, виявило можливiсть зайняття легуючими атомами Sc рiзних кристалографiчних позицiй у залежностi вiд їхньої концентрацiї. Це приводить до генерування структурних дефектiв донорної i/або акцепторної природи та появи у забороненiй зонi єg вiдповiдних енергетичних рiвнiв (зон). Спiввiдношення iонiзованих донорiв та акцепторiв (ступiнь компенсацiї) визначає у Lu1-xScxNiSb положення рiвня Фермi єF. Встановлено залежнiсть швидкостi генерування енергетичних рiвнiв та положення рiвня Фермi єF вiд концентрацiї домiшки Sc, що визначає механiзм електропровiдностi Lu1-xScxNiSb. Дослiджений твердий розчин Lu1-xScxNiSb є перспективним термоелектричним матерiалом. Publishing house "Academperiodika" 2022-08-29 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022450 10.15407/ujpe67.5.370 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 67 No. 5 (2022); 370 Український фізичний журнал; Том 67 № 5 (2022); 370 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe67.5 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022450/2854 Copyright (c) 2022 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
електропровiднiсть коефiцiєнт термо-е.р.с. рiвень Фермi напiвпровiдник electrical conductivity thermopower coefficient Fermi level semiconductor |
| spellingShingle |
електропровiднiсть коефiцiєнт термо-е.р.с. рiвень Фермi напiвпровiдник electrical conductivity thermopower coefficient Fermi level semiconductor Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Y.V. Romaka, L.P. Demchenko, P.Y. Pashkevych, V.Z. Horyn, A.M. Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb |
| topic_facet |
електропровiднiсть коефiцiєнт термо-е.р.с. рiвень Фермi напiвпровiдник electrical conductivity thermopower coefficient Fermi level semiconductor |
| format |
Article |
| author |
Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Y.V. Romaka, L.P. Demchenko, P.Y. Pashkevych, V.Z. Horyn, A.M. |
| author_facet |
Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Y.V. Romaka, L.P. Demchenko, P.Y. Pashkevych, V.Z. Horyn, A.M. |
| author_sort |
Romaka, V.V. |
| title |
Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb |
| title_short |
Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb |
| title_full |
Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb |
| title_fullStr |
Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb |
| title_full_unstemmed |
Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb |
| title_sort |
особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину lu1 – xscxnisb |
| title_alt |
Features of Mechanisms of Electrical Conductivity in Semiconductive Solid Solution Lu1 – xScxNiSb |
| description |
A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, electrokinetic, energy, and magnetic properties of the semiconductive solid solution Lu1-xScxNiSb, x = 0 – 0.10, revealed the possibility of doping Sc atoms of different crystallographic sites depending on their concentration. This leads to the generation of structural defects of donor and/or acceptor nature and the appearance of the corresponding energy levels (bands) in the band gap єg. The ratio of ionized donors and acceptors (degree of compensation) determines the position of the Fermi level єF in Lu1-xScxNiSb. The dependence of the rate of generation of energy levels and the position of the Fermi level єF on the impurity concentration Sc, which determines the mechanism of electrical conductivity of Lu1-xScxNiSb, is established. The investigated Lu1-xScxNiSb solid solution is a promising thermoelectric material. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022450 |
| work_keys_str_mv |
AT romakavv featuresofmechanismsofelectricalconductivityinsemiconductivesolidsolutionlu1xscxnisb AT romakava featuresofmechanismsofelectricalconductivityinsemiconductivesolidsolutionlu1xscxnisb AT stadnykyv featuresofmechanismsofelectricalconductivityinsemiconductivesolidsolutionlu1xscxnisb AT romakalp featuresofmechanismsofelectricalconductivityinsemiconductivesolidsolutionlu1xscxnisb AT demchenkopy featuresofmechanismsofelectricalconductivityinsemiconductivesolidsolutionlu1xscxnisb AT pashkevychvz featuresofmechanismsofelectricalconductivityinsemiconductivesolidsolutionlu1xscxnisb AT horynam featuresofmechanismsofelectricalconductivityinsemiconductivesolidsolutionlu1xscxnisb AT romakavv osoblivostímehanízmívelektroprovídnostínapívprovídnikovogotverdogorozčinulu1xscxnisb AT romakava osoblivostímehanízmívelektroprovídnostínapívprovídnikovogotverdogorozčinulu1xscxnisb AT stadnykyv osoblivostímehanízmívelektroprovídnostínapívprovídnikovogotverdogorozčinulu1xscxnisb AT romakalp osoblivostímehanízmívelektroprovídnostínapívprovídnikovogotverdogorozčinulu1xscxnisb AT demchenkopy osoblivostímehanízmívelektroprovídnostínapívprovídnikovogotverdogorozčinulu1xscxnisb AT pashkevychvz osoblivostímehanízmívelektroprovídnostínapívprovídnikovogotverdogorozčinulu1xscxnisb AT horynam osoblivostímehanízmívelektroprovídnostínapívprovídnikovogotverdogorozčinulu1xscxnisb |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:50Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:50Z |
| _version_ |
1795757763444342784 |