Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb

Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb

A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, kinetic, energy, and magnetic properties of the Lu1−xVxNiSb semiconductor (x = 0÷0.10) has revealed the possibility for impurity V atoms to simultaneously occupy different crystallographic positions. At the same time, def...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2023
Hauptverfasser: Romaka, V.V., Romaka, V.A., Stadnyk, Yu.V., Romaka, L.P., Plevachuk, Y.O., Horyn, A.M., Pashkevych, V.Z., Haraniuk, P.I.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2023
Schlagworte:
рiвень Фермi
електронна структура
електроопiр
коефiцiєнт термо-ерс
Online Zugang:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2023006
record_format ojs
spelling ujp2-article-20230062023-06-14T19:33:46Z Features of the Generation of Energy States in the Lu1 – xVxNiSb Semiconductor Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Yu.V. Romaka, L.P. Plevachuk, Y.O. Horyn, A.M. Pashkevych, V.Z. Haraniuk, P.I. рiвень Фермi електронна структура електроопiр коефiцiєнт термо-ерс Fermi level electronic structure electrical resistivity thermopower coefficient A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, kinetic, energy, and magnetic properties of the Lu1−xVxNiSb semiconductor (x = 0÷0.10) has revealed the possibility for impurity V atoms to simultaneously occupy different crystallographic positions. At the same time, defects of the acceptor or donor nature are generated in the crystal structure of the Lu1−xVxNiSb solid solution, and the corresponding energy states appear in the band gap ϵg. The concentration ratio of donor-acceptor states determines the position of the Fermi level ϵF and the mechanisms of electrical conductivity of Lu1−xVxNiSb. The results of the modeling of thermodynamic and transport properties of the semiconductor are consistent with experimental data. Understanding the mechanism of energy state generation in the semiconductor Lu1−xVxNiSb allows the modeling and production of new thermoelectric materials with a high efficiency of converting the thermal energy into the electrical one. Комплексне дослiдження кристалiчної та електронної стру-ктур, термодинамiчних, кiнетичних, енергетичних та магнiтних властивостей напiвпровiдника Lu1−xVxNiSb, x = 0–0,10 встановило можливiсть домiшкових атомiв V одночасно займати рiзнi кристалографiчнi позицiї. При цьому у структурi Lu1−xVxNiSb генеруються дефекти акцепторної та донорної природи, а в забороненiй зонi ϵg з’являються вiдповiднi енергетичнi стани. Спiввiдношення концентрацiй донорно-акцепторних станiв визначає по-ложення рiвня Фермi ϵF та механiзми електропровiдностi Lu1−xVxNiSb. Результати моделювання властивостей напiвпровiдника узгоджуються з даними експериментальних дослiджень. Розумiння механiзму генерування енергетичних станiв у напiвпровiднику у Lu1−xVxNiSb дозволяє моделювати та отримувати новi термоелектричнi матерiали з високою ефективнiстю перетворення теплової енергiї в електричну. Publishing house "Academperiodika" 2023-06-14 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006 10.15407/ujpe68.4.274 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 68 No. 4 (2023); 274 Український фізичний журнал; Том 68 № 4 (2023); 274 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe68.4 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006/2979 Copyright (c) 2023 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date 2023-06-14T19:33:46Z
collection OJS
language English
topic рiвень Фермi
електронна структура
електроопiр
коефiцiєнт термо-ерс
spellingShingle рiвень Фермi
електронна структура
електроопiр
коефiцiєнт термо-ерс
Romaka, V.V.
Romaka, V.A.
Stadnyk, Yu.V.
Romaka, L.P.
Plevachuk, Y.O.
Horyn, A.M.
Pashkevych, V.Z.
Haraniuk, P.I.
Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
topic_facet рiвень Фермi
електронна структура
електроопiр
коефiцiєнт термо-ерс
Fermi level
electronic structure
electrical resistivity
thermopower coefficient
format Article
author Romaka, V.V.
Romaka, V.A.
Stadnyk, Yu.V.
Romaka, L.P.
Plevachuk, Y.O.
Horyn, A.M.
Pashkevych, V.Z.
Haraniuk, P.I.
author_facet Romaka, V.V.
Romaka, V.A.
Stadnyk, Yu.V.
Romaka, L.P.
Plevachuk, Y.O.
Horyn, A.M.
Pashkevych, V.Z.
Haraniuk, P.I.
author_sort Romaka, V.V.
title Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
title_short Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
title_full Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
title_fullStr Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
title_full_unstemmed Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
title_sort особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику lu1 – xvxnisb
title_alt Features of the Generation of Energy States in the Lu1 – xVxNiSb Semiconductor
description A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, kinetic, energy, and magnetic properties of the Lu1−xVxNiSb semiconductor (x = 0÷0.10) has revealed the possibility for impurity V atoms to simultaneously occupy different crystallographic positions. At the same time, defects of the acceptor or donor nature are generated in the crystal structure of the Lu1−xVxNiSb solid solution, and the corresponding energy states appear in the band gap ϵg. The concentration ratio of donor-acceptor states determines the position of the Fermi level ϵF and the mechanisms of electrical conductivity of Lu1−xVxNiSb. The results of the modeling of thermodynamic and transport properties of the semiconductor are consistent with experimental data. Understanding the mechanism of energy state generation in the semiconductor Lu1−xVxNiSb allows the modeling and production of new thermoelectric materials with a high efficiency of converting the thermal energy into the electrical one.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2023
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006
work_keys_str_mv AT romakavv featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor
AT romakava featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor
AT stadnykyuv featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor
AT romakalp featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor
AT plevachukyo featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor
AT horynam featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor
AT pashkevychvz featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor
AT haraniukpi featuresofthegenerationofenergystatesinthelu1xvxnisbsemiconductor
AT romakavv osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb
AT romakava osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb
AT stadnykyuv osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb
AT romakalp osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb
AT plevachukyo osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb
AT horynam osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb
AT pashkevychvz osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb
AT haraniukpi osoblivostígeneruvannâenergetičnihstanívunapívprovídnikulu1xvxnisb
first_indexed 2025-10-02T01:18:49Z
last_indexed 2025-10-02T01:18:49Z
_version_ 1851765381182521344

Ähnliche Einträge