Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb

• Дата: 2023
• Автори: Romaka, V.V., Romaka, V.A., Stadnyk, Yu.V., Romaka, L.P., Plevachuk, Y.O., Horyn, A.M., Pashkevych, V.Z., Haraniuk, P.I.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2023
• Теми: рiвень Фермi; електронна структура; електроопiр; коефiцiєнт термо-ерс
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, kinetic, energy, and magnetic properties of the Lu1−xVxNiSb semiconductor (x = 0÷0.10) has revealed the possibility for impurity V atoms to simultaneously occupy different crystallographic positions. At the same time, def...