Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb

• Datum: 2023
• Hauptverfasser: Romaka, V.V., Romaka, V.A., Stadnyk, Yu.V., Romaka, L.P., Plevachuk, Y.O., Horyn, A.M., Pashkevych, V.Z., Haraniuk, P.I.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2023
• Schlagworte: рiвень Фермi; електронна структура; електроопiр; коефiцiєнт термо-ерс
• Online Zugang: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, kinetic, energy, and magnetic properties of the Lu1−xVxNiSb semiconductor (x = 0÷0.10) has revealed the possibility for impurity V atoms to simultaneously occupy different crystallographic positions. At the same time, def...