Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
A comprehensive study of the crystal and electronic structures, thermodynamic, kinetic, energy, and magnetic properties of the Lu1−xVxNiSb semiconductor (x = 0÷0.10) has revealed the possibility for impurity V atoms to simultaneously occupy different crystallographic positions. At the same time, def...
Збережено в:
Видавець: | Publishing house "Academperiodika" |
---|---|
Дата: | 2023 |
Автори: | , , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2023
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023006 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Ukrainian Journal of PhysicsБудьте першим, хто залишить коментар!