Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон
Now, silicon-based heterostructured nanocomposites are of great interest. Despite the fact that silicon semiconductor films (crystalline, polycrystalline, amorphous) have been systematically studied for a long time, heterostructural films are new materials, the study of which began relatively recent...
Збережено в:
| Дата: | 2024 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2024
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023088 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2023088 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20230882024-02-06T11:45:47Z Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) Thin Film and Evaluation of Their Optically Direct and Indirect Band Gap Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон Dovranov, K.T. Normuradov, M.T. Davranov, Kh.T. Bekpulatov, I.R. iнфрачервоної Фур’є-спектроскопiя трансмiсiйна спектроскопiя поглинання ультрафiолетового свiтла заборонена зона тонкi плiвки FTIR spectroscopy transmission spectroscopy UV absorption band gap thin films Now, silicon-based heterostructured nanocomposites are of great interest. Despite the fact that silicon semiconductor films (crystalline, polycrystalline, amorphous) have been systematically studied for a long time, heterostructural films are new materials, the study of which began relatively recently. We will produce and investigate the properties of heterostructured Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin films using infrared and ultraviolet spectroscopies. Absorption, transmission, and diffuse reflectance spectra are obtained applying FTIR spectroscopy instruments and a UV spectrophotometer. The band gap energies calculated from the transmission spectra are in the interval 0.32–1.31 eV for films deposited on the silicon substrates and in the interval 0.36–1.25 eV for the glass substrates. Виготовлено тонкi плiвки з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) з неоднорiдною структурою i дослiджено їх властивостi методами спектроскопiї iнфрачервоного I ультрафiолетового свiтла. Iз застосуванням iнфрачервоної Фур’є-спектроскопiї отримано спектри поглинання, трансмiсiйнi та дифузiйного вiдбиття. Використовуючи трансмiсiйнi спектри, розраховано, що енергiї заборонених зон належать iнтервалу 0,32–1,31 еВ для плiвок на кремнiї i 0,36–1,25 еВ для плiвок на склi. Publishing house "Academperiodika" 2024-02-06 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023088 10.15407/ujpe69.1.20 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 69 No. 1 (2024); 20 Український фізичний журнал; Том 69 № 1 (2024); 20 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe69.1 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023088/3067 Copyright (c) 2024 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
iнфрачервоної Фур’є-спектроскопiя трансмiсiйна спектроскопiя поглинання ультрафiолетового свiтла заборонена зона тонкi плiвки FTIR spectroscopy transmission spectroscopy UV absorption band gap thin films |
| spellingShingle |
iнфрачервоної Фур’є-спектроскопiя трансмiсiйна спектроскопiя поглинання ультрафiолетового свiтла заборонена зона тонкi плiвки FTIR spectroscopy transmission spectroscopy UV absorption band gap thin films Dovranov, K.T. Normuradov, M.T. Davranov, Kh.T. Bekpulatov, I.R. Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон |
| topic_facet |
iнфрачервоної Фур’є-спектроскопiя трансмiсiйна спектроскопiя поглинання ультрафiолетового свiтла заборонена зона тонкi плiвки FTIR spectroscopy transmission spectroscopy UV absorption band gap thin films |
| format |
Article |
| author |
Dovranov, K.T. Normuradov, M.T. Davranov, Kh.T. Bekpulatov, I.R. |
| author_facet |
Dovranov, K.T. Normuradov, M.T. Davranov, Kh.T. Bekpulatov, I.R. |
| author_sort |
Dovranov, K.T. |
| title |
Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон |
| title_short |
Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон |
| title_full |
Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон |
| title_fullStr |
Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон |
| title_full_unstemmed |
Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон |
| title_sort |
виготовлення тонких плівок з mn4si7/si(111), crsi2/si(111) та cosi2/si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон |
| title_alt |
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) Thin Film and Evaluation of Their Optically Direct and Indirect Band Gap |
| description |
Now, silicon-based heterostructured nanocomposites are of great interest. Despite the fact that silicon semiconductor films (crystalline, polycrystalline, amorphous) have been systematically studied for a long time, heterostructural films are new materials, the study of which began relatively recently. We will produce and investigate the properties of heterostructured Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin films using infrared and ultraviolet spectroscopies. Absorption, transmission, and diffuse reflectance spectra are obtained applying FTIR spectroscopy instruments and a UV spectrophotometer. The band gap energies calculated from the transmission spectra are in the interval 0.32–1.31 eV for films deposited on the silicon substrates and in the interval 0.36–1.25 eV for the glass substrates. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2024 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023088 |
| work_keys_str_mv |
AT dovranovkt formationofmn4si7si111crsi2si111andcosi2si111thinfilmandevaluationoftheiropticallydirectandindirectbandgap AT normuradovmt formationofmn4si7si111crsi2si111andcosi2si111thinfilmandevaluationoftheiropticallydirectandindirectbandgap AT davranovkht formationofmn4si7si111crsi2si111andcosi2si111thinfilmandevaluationoftheiropticallydirectandindirectbandgap AT bekpulatovir formationofmn4si7si111crsi2si111andcosi2si111thinfilmandevaluationoftheiropticallydirectandindirectbandgap AT dovranovkt vigotovlennâtonkihplívokzmn4si7si111crsi2si111tacosi2si111íocínkaíhníhoptičnoprâmihtaneprâmihzaboronenihzon AT normuradovmt vigotovlennâtonkihplívokzmn4si7si111crsi2si111tacosi2si111íocínkaíhníhoptičnoprâmihtaneprâmihzaboronenihzon AT davranovkht vigotovlennâtonkihplívokzmn4si7si111crsi2si111tacosi2si111íocínkaíhníhoptičnoprâmihtaneprâmihzaboronenihzon AT bekpulatovir vigotovlennâtonkihplívokzmn4si7si111crsi2si111tacosi2si111íocínkaíhníhoptičnoprâmihtaneprâmihzaboronenihzon |
| first_indexed |
2024-03-31T09:28:19Z |
| last_indexed |
2024-03-31T09:28:19Z |
| _version_ |
1795757770839949312 |