2025-02-24T18:19:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2023114%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-24T18:19:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2023114%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-24T18:19:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-24T18:19:55-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні

The lifetimes of photoconductive decay carriers under interband and intraband excitations are studied in epitaxial layers of narrow-gap Hg1−xCdxTe (x ∼0.2). Samples with large distances (>3 mm) between small-area electrical contacts and small distances (∼10 μm) with largearea contacts (THz an...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Staryi, S., Lysjuk, I., Golenkov, O., Tsybrii, Z., Danilov, S., Gumenjuk-Sichevska, J., Andrieieva, K., Smolii, M., Sizov, F.
Format:	Article
Language:	English
Published:	Publishing house "Academperiodika" 2023
Subjects:	HgCdTe lifetime interband and intraband excitations terahertz radiation часи життя внутрiшньозонне i мiжзонне збудження випромiнення у дiапазонi ТГц
Online Access:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023114
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	ujp2-article-2023114
record_format	ojs
spelling	ujp2-article-20231142023-10-02T14:43:29Z Carrier Decay Lifetimes in the Narrow-gap Hg1–xCdxTe at the Interband and Intraband Excitations Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні Staryi, S. Lysjuk, I. Golenkov, O. Tsybrii, Z. Danilov, S. Gumenjuk-Sichevska, J. Andrieieva, K. Smolii, M. Sizov, F. HgCdTe lifetime interband and intraband excitations terahertz radiation HgCdTe часи життя внутрiшньозонне i мiжзонне збудження випромiнення у дiапазонi ТГц The lifetimes of photoconductive decay carriers under interband and intraband excitations are studied in epitaxial layers of narrow-gap Hg1−xCdxTe (x ∼0.2). Samples with large distances (>3 mm) between small-area electrical contacts and small distances (∼10 μm) with largearea contacts (THz antennas) are studied. The lifetimes of decay carriers for intraband and interband excitations are measured and compared. It has been established that, in samples with n-type conductivity, the lifetimes are comparable (in the interval of 40 ns) for both methods of excitation. At the same time, in samples with a small distance between contacts and a large area (bow-tie antennas), contacts make the main contribution to recombination. The elimination of recombination at the contacts leads to a lifetime of ∼10−6 s. Дослiджено часи життя спаду фотопровiдностi носiїв заряду при мiжзонному та внутрiшньозонному збудженнi в епiтаксiйних шарах вузькощiлинного Hg1−xCdxTe (x ∼ 0,2). Вивчалися зразки з великими вiдстанями (>3 мм) мiж електричними контактами малої площi та малими вiдстанями (∼10 мкм) з контактами великої площi (ТГц антени). Часи життя носiїв заряду було вимiряно при внутрiшньозонному i мiжзонному збудженнi та зроблено порiвняльний аналiз. Встановлено, що в зразках з n-типом провiдностi часи життя порiвнянi (в дiапазонi 40 нс) для обох способiв збудження. У той же час, у зразках з малою вiдстанню мiж контактами i великою площею (метеликоподiбнi антени) контакти вносять основний внесок у рекомбiнацiю носiїв заряду. Усунення рекомбiнацiї на контактах приводить до збiльшення часу життя ∼10−6 с. Publishing house "Academperiodika" 2023-10-02 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023114 10.15407/ujpe68.8.543 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 68 No. 8 (2023); 543 Український фізичний журнал; Том 68 № 8 (2023); 543 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe68.8 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023114/3019 Copyright (c) 2023 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution	Ukrainian Journal of Physics
collection	OJS
language	English
topic	HgCdTe lifetime interband and intraband excitations terahertz radiation HgCdTe часи життя внутрiшньозонне i мiжзонне збудження випромiнення у дiапазонi ТГц
spellingShingle	HgCdTe lifetime interband and intraband excitations terahertz radiation HgCdTe часи життя внутрiшньозонне i мiжзонне збудження випромiнення у дiапазонi ТГц Staryi, S. Lysjuk, I. Golenkov, O. Tsybrii, Z. Danilov, S. Gumenjuk-Sichevska, J. Andrieieva, K. Smolii, M. Sizov, F. Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
topic_facet	HgCdTe lifetime interband and intraband excitations terahertz radiation HgCdTe часи життя внутрiшньозонне i мiжзонне збудження випромiнення у дiапазонi ТГц
format	Article
author	Staryi, S. Lysjuk, I. Golenkov, O. Tsybrii, Z. Danilov, S. Gumenjuk-Sichevska, J. Andrieieva, K. Smolii, M. Sizov, F.
author_facet	Staryi, S. Lysjuk, I. Golenkov, O. Tsybrii, Z. Danilov, S. Gumenjuk-Sichevska, J. Andrieieva, K. Smolii, M. Sizov, F.
author_sort	Staryi, S.
title	Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
title_short	Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
title_full	Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
title_fullStr	Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
title_full_unstemmed	Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
title_sort	часи життя носіїв заряду у вузькощілинному hg1–xcdxte при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
title_alt	Carrier Decay Lifetimes in the Narrow-gap Hg1–xCdxTe at the Interband and Intraband Excitations
description	The lifetimes of photoconductive decay carriers under interband and intraband excitations are studied in epitaxial layers of narrow-gap Hg1−xCdxTe (x ∼0.2). Samples with large distances (>3 mm) between small-area electrical contacts and small distances (∼10 μm) with largearea contacts (THz antennas) are studied. The lifetimes of decay carriers for intraband and interband excitations are measured and compared. It has been established that, in samples with n-type conductivity, the lifetimes are comparable (in the interval of 40 ns) for both methods of excitation. At the same time, in samples with a small distance between contacts and a large area (bow-tie antennas), contacts make the main contribution to recombination. The elimination of recombination at the contacts leads to a lifetime of ∼10−6 s.
publisher	Publishing house "Academperiodika"
publishDate	2023
url	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023114
work_keys_str_mv	AT staryis carrierdecaylifetimesinthenarrowgaphg1xcdxteattheinterbandandintrabandexcitations AT lysjuki carrierdecaylifetimesinthenarrowgaphg1xcdxteattheinterbandandintrabandexcitations AT golenkovo carrierdecaylifetimesinthenarrowgaphg1xcdxteattheinterbandandintrabandexcitations AT tsybriiz carrierdecaylifetimesinthenarrowgaphg1xcdxteattheinterbandandintrabandexcitations AT danilovs carrierdecaylifetimesinthenarrowgaphg1xcdxteattheinterbandandintrabandexcitations AT gumenjuksichevskaj carrierdecaylifetimesinthenarrowgaphg1xcdxteattheinterbandandintrabandexcitations AT andrieievak carrierdecaylifetimesinthenarrowgaphg1xcdxteattheinterbandandintrabandexcitations AT smoliim carrierdecaylifetimesinthenarrowgaphg1xcdxteattheinterbandandintrabandexcitations AT sizovf carrierdecaylifetimesinthenarrowgaphg1xcdxteattheinterbandandintrabandexcitations AT staryis časižittânosíívzarâduuvuzʹkoŝílinnomuhg1xcdxteprimížzonnomutavnutríšnʹozonnomuzbudženní AT lysjuki časižittânosíívzarâduuvuzʹkoŝílinnomuhg1xcdxteprimížzonnomutavnutríšnʹozonnomuzbudženní AT golenkovo časižittânosíívzarâduuvuzʹkoŝílinnomuhg1xcdxteprimížzonnomutavnutríšnʹozonnomuzbudženní AT tsybriiz časižittânosíívzarâduuvuzʹkoŝílinnomuhg1xcdxteprimížzonnomutavnutríšnʹozonnomuzbudženní AT danilovs časižittânosíívzarâduuvuzʹkoŝílinnomuhg1xcdxteprimížzonnomutavnutríšnʹozonnomuzbudženní AT gumenjuksichevskaj časižittânosíívzarâduuvuzʹkoŝílinnomuhg1xcdxteprimížzonnomutavnutríšnʹozonnomuzbudženní AT andrieievak časižittânosíívzarâduuvuzʹkoŝílinnomuhg1xcdxteprimížzonnomutavnutríšnʹozonnomuzbudženní AT smoliim časižittânosíívzarâduuvuzʹkoŝílinnomuhg1xcdxteprimížzonnomutavnutríšnʹozonnomuzbudženní AT sizovf časižittânosíívzarâduuvuzʹkoŝílinnomuhg1xcdxteprimížzonnomutavnutríšnʹozonnomuzbudženní
first_indexed	2023-10-18T23:28:06Z
last_indexed	2023-10-18T23:28:06Z
_version_	1795757772128649216

Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні

Similar Items