Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+

• Main Authors: Kostylyov, V.P., Sachenko, A.V., Slusar, T.V., Chernenko, V.V.
• Format: Article
• Language: English; Ukrainian
• Published: Publishing house "Academperiodika" 2023
• Subjects: photosensitive silicon structure; near-surface layer; emitter; recombination losses; heat treatments; silicon dioxide layer; фоточутлива кремнiєва структура; приповерхневий шар; емiтер; рекомбiнацiйнi втрати; термообробки; шар двоокису кремнiю
• Online Access: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023178

Встановлено, що пiсля проведення операцiї дифузiї при створеннi n+-емiтера фоточутливих структур типу n+-p-p+ його приповерхневий шар має значнi структурнi пошкодження з пiдвищеними рекомбiнацiйними втратами. Проведено дослiдження впливу додаткових обробок у виглядi циклiв стравлювання-вирощування шару двоокису кремнiю на поверхнi емiтера при виготовленнi таких фоточутливих кремнiєвих структур на їхнi фотоелектричнi i рекомбiнацiйнi характеристики. Показано, що застосування таких додаткових обробок у процесi виготовлення фоточутливих кремнiєвих структур дозволяє ефективно зменшити рекомбiнацiйнi втрати i, тим самим, значно покращити фотоелектричнi параметри таких структур, в тому числi i їхню спектральну та порогову фоточутливiсть.