Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+
When creating an n+-emitter in photosensitive structures of the n+-p-p+ type, the structure of its near-surface layer after the diffusion operation is found to be substantially damaged with increased recombination losses. The influence of additional growing-etching cycles of the silicon dioxide laye...
Збережено в:
| Дата: | 2023 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2023
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023178 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2023178 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20231782023-10-26T13:17:22Z Reduction of Recombination Losses in Near-Sur¬face Diffusion Emitter Layers of Photosensitive Silicon n+-p-p+ Structures Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+ Kostylyov, V.P. Sachenko, A.V. Slusar, T.V. Chernenko, V.V. photosensitive silicon structure near-surface layer emitter recombination losses heat treatments silicon dioxide layer фоточутлива кремнiєва структура приповерхневий шар емiтер рекомбiнацiйнi втрати термообробки шар двоокису кремнiю When creating an n+-emitter in photosensitive structures of the n+-p-p+ type, the structure of its near-surface layer after the diffusion operation is found to be substantially damaged with increased recombination losses. The influence of additional growing-etching cycles of the silicon dioxide layer on the emitter surface when manufacturing such photosensitive silicon structures on their photoelectric and recombination characteristics is studied. It is shown that the application of such an additional treatment in the production of photosensitive silicon structures allows the recombination losses to be effectively reduced and, thereby, the photovoltaic parameters of such structures, including their spectral and threshold photosensitivities, to be significantly improved. Встановлено, що пiсля проведення операцiї дифузiї при створеннi n+-емiтера фоточутливих структур типу n+-p-p+ його приповерхневий шар має значнi структурнi пошкодження з пiдвищеними рекомбiнацiйними втратами. Проведено дослiдження впливу додаткових обробок у виглядi циклiв стравлювання-вирощування шару двоокису кремнiю на поверхнi емiтера при виготовленнi таких фоточутливих кремнiєвих структур на їхнi фотоелектричнi i рекомбiнацiйнi характеристики. Показано, що застосування таких додаткових обробок у процесi виготовлення фоточутливих кремнiєвих структур дозволяє ефективно зменшити рекомбiнацiйнi втрати i, тим самим, значно покращити фотоелектричнi параметри таких структур, в тому числi i їхню спектральну та порогову фоточутливiсть. Publishing house "Academperiodika" 2023-10-20 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023178 10.15407/ujpe68.9.628 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 68 No. 9 (2023); 628 Український фізичний журнал; Том 68 № 9 (2023); 628 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe68.9 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023178/3029 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023178/3030 Copyright (c) 2023 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2023-10-26T13:17:22Z |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
фоточутлива кремнiєва структура приповерхневий шар емiтер рекомбiнацiйнi втрати термообробки шар двоокису кремнiю |
| spellingShingle |
фоточутлива кремнiєва структура приповерхневий шар емiтер рекомбiнацiйнi втрати термообробки шар двоокису кремнiю Kostylyov, V.P. Sachenko, A.V. Slusar, T.V. Chernenko, V.V. Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+ |
| topic_facet |
photosensitive silicon structure near-surface layer emitter recombination losses heat treatments silicon dioxide layer фоточутлива кремнiєва структура приповерхневий шар емiтер рекомбiнацiйнi втрати термообробки шар двоокису кремнiю |
| format |
Article |
| author |
Kostylyov, V.P. Sachenko, A.V. Slusar, T.V. Chernenko, V.V. |
| author_facet |
Kostylyov, V.P. Sachenko, A.V. Slusar, T.V. Chernenko, V.V. |
| author_sort |
Kostylyov, V.P. |
| title |
Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+ |
| title_short |
Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+ |
| title_full |
Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+ |
| title_fullStr |
Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+ |
| title_full_unstemmed |
Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+ |
| title_sort |
зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+ |
| title_alt |
Reduction of Recombination Losses in Near-Sur¬face Diffusion Emitter Layers of Photosensitive Silicon n+-p-p+ Structures |
| description |
When creating an n+-emitter in photosensitive structures of the n+-p-p+ type, the structure of its near-surface layer after the diffusion operation is found to be substantially damaged with increased recombination losses. The influence of additional growing-etching cycles of the silicon dioxide layer on the emitter surface when manufacturing such photosensitive silicon structures on their photoelectric and recombination characteristics is studied. It is shown that the application of such an additional treatment in the production of photosensitive silicon structures allows the recombination losses to be effectively reduced and, thereby, the photovoltaic parameters of such structures, including their spectral and threshold photosensitivities, to be significantly improved. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2023 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023178 |
| work_keys_str_mv |
AT kostylyovvp reductionofrecombinationlossesinnearsurfacediffusionemitterlayersofphotosensitivesiliconnppstructures AT sachenkoav reductionofrecombinationlossesinnearsurfacediffusionemitterlayersofphotosensitivesiliconnppstructures AT slusartv reductionofrecombinationlossesinnearsurfacediffusionemitterlayersofphotosensitivesiliconnppstructures AT chernenkovv reductionofrecombinationlossesinnearsurfacediffusionemitterlayersofphotosensitivesiliconnppstructures AT kostylyovvp zmenšennârekombínacíjnihvtratudifuzíjnihpripoverhnevihemíternihšarahfotočutlivihkremníêvihstrukturnpp AT sachenkoav zmenšennârekombínacíjnihvtratudifuzíjnihpripoverhnevihemíternihšarahfotočutlivihkremníêvihstrukturnpp AT slusartv zmenšennârekombínacíjnihvtratudifuzíjnihpripoverhnevihemíternihšarahfotočutlivihkremníêvihstrukturnpp AT chernenkovv zmenšennârekombínacíjnihvtratudifuzíjnihpripoverhnevihemíternihšarahfotočutlivihkremníêvihstrukturnpp |
| first_indexed |
2025-10-02T01:18:59Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:18:59Z |
| _version_ |
1851765393808424960 |